[发明专利]一种SRAM源漏极尺寸的光学临近修正建模方法

说明书

技术领域

本发明涉及微电子技术领域，尤其涉及一种新型的SRAM源极漏极尺寸的光学临近修正（OPC）建模方法。

背景技术

在集成电路制造中，照相平板印刷术或平板印刷术通常用来将与集成电路的布局相关的图案转移到晶片衬底上，该晶片衬底包括，但不局限于，例如硅、硅锗（SiGe）、绝缘体硅（SOI）以及其各种组合物等材料。改进超大规模集成（VLSI）电路性能的努力，导致了对减小图形尺寸和增加布局密度的需求的增长，这又更加需要使用分辨率增强技术（RET）以扩展光刻工艺的能力。在先进光刻工艺中，因曝光图形尺寸的缩小，须对光掩模图形进行预先的光学临近修正（Optical Proximity Correction，简称OPC），来弥补由光学系统的有限分辨率造成的光学临近效应，光学临近修正是分辨率增强技术中的一种。随着曝光图形的不断变小，进入65nm以下节点，开始需要对源极漏极图形尺寸进行光学临近效应修正。由于源极漏极图形曝光时，衬底结构非常复杂，包括有源区/浅槽隔离区，及位于这两个区域上方的栅极组成，其光学效应一直难以精确预估，修正后误差可能达到特征尺寸的10%以上，于是在某些光刻条件下容易产生光刻缺陷。

发明内容

针对上述存在的问题，本发明的目的是提供一种新型的关于SRAM源漏极尺寸的模型数据收集与建立的光学临近修正（OPC）方法，以达到精准预测源极漏极图形尺寸的目的，保证源极漏极的光刻工艺可以获得足够大的工艺窗口。

本发明的目的是通过下述技术方案实现的：

一种SRAM源漏极尺寸的光学临近修正建模方法，其中，包括：

根据设计图形，制作三块测试光罩，分别为第一光罩，第二光罩和第三光罩，所述第一光罩用来模拟不同源极漏极测试结构下的有源区图形或者浅槽隔离区图形，所述第二光罩用来模拟不同源极漏极测试结构下的栅极图形，所述第三光罩用来曝光光学临近修正模型测试结构；

将测试用晶圆完成浅槽隔离工艺的整个流程，光刻时用所述第一光罩进行有源区图形的曝光；将测试用晶圆完成栅极工艺的整个流程，光刻时用所述第二光罩进行栅极图形的曝光；源极漏极光刻用所述第三光罩完成所述光学临近修正模型测试结构的曝光，测试用晶圆制作完成；

用制成的测试用晶圆进行模型数据的收集，完成后即可建立一个包含衬底信息的源极漏极光学临近修正效应模型。

上述SRAM源漏极尺寸的光学临近修正模型方法，其中，所述包含衬底信息的源极漏极光学临近修正效应模型，包括：位于衬底上的密集线尺寸光学临近修正模型测试结构，位于衬底上的孤立线尺寸光学临近修正模型测试结构，位于衬底上的孤立间距尺寸光学临近修正模型测试结构，位于衬底上的密集间距尺寸光学临近修正模型测试结构，位于衬底上的密集线端间距尺寸光学临近修正模型测试结构，以及位于衬底上的孤立线端间距尺寸光学临近修正模型测试结构。

上述SRAM源漏极尺寸的光学临近修正模型方法，其中，用制成的测试用晶圆进行模型数据的收集，收集的数据包括：根据工艺需求设计的线宽尺寸，间距尺寸，重复周期和线端间距尺寸。

上述SRAM源漏极尺寸的光学临近修正模型方法，其中，适用于65nm以下节点工艺。

上述SRAM源漏极尺寸的光学临近修正模型方法，其中，所述位于衬底上的密集线尺寸光学临近修正模型测试结构的光刻版图包括第一曝光单元，所述第一曝光单元内以均匀相隔间距平均分布有多条源极漏极区，源极漏极区内分布有栅极区和有源区。

上述SRAM源漏极尺寸的光学临近修正模型方法，其中，所述位于衬底上的孤立线尺寸光学临近修正模型测试结构的光刻版图包括第二曝光单元，所述第二曝光单元内分布有一条源极漏极区，源极漏极区内分布有栅极区和有源区。

上述SRAM源漏极尺寸的光学临近修正模型方法，其中，所述位于衬底上的孤立间距尺寸光学临近修正模型测试结构的光刻版图包括第三曝光单元，所述第三曝光单元内均匀分布有两块面积相同、相互形成一定相隔间距的源极漏极区，源极漏极区内分布有栅极区和有源区。

上述SRAM源漏极尺寸的光学临近修正模型方法，其中，所述位于衬底上的密集间距尺寸光学临近修正模型测试结构的光刻版图包括第四曝光单元，所述第四曝光单元内以均匀相隔间距平均分布有多条源极漏极区，源极漏极区内分布有栅极区和有源区。

上述SRAM源漏极尺寸的光学临近修正模型方法，其中，所述位于衬底上的密集线端间距尺寸光学临近修正模型测试结构的光刻版图包括第五曝光单元，所述第五曝光单元内以均匀相隔间距和均匀线端间距平均分布有多条源极漏极区，源极漏极区内分布有栅极区和有源区。