[发明专利]一种晶粒镀镍金装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体晶粒进行镀镍金的装置，尤其涉及对不良品进行镀加工返工的镀镍金装置。

技术背景

半导体制程中，二极管晶粒在焊接的过程中有时会发生焊接不良现象，例如金层脱落、镍层脱落（俗称Ni-peeling）等现象，焊接效果不好直接导致晶粒在客户端应用受到影响，具有较大的品质隐患。

原因是：半导体晶片在切割前有镀层不均匀现象，很多时候这种现象不易被发现，只有在晶片切割成晶粒并在焊接后对通过焊接件做拉力测试才能发现镀层脱落的有关情况。晶片的返工相对来说比较容易，只需要去金后重新按照原工艺再次镀镍金即可。然而晶粒的返工由于晶粒较小，且作业时晶粒易堆积在一起。目前采用常规的手段是将晶粒放置在提篮中，再人工操作浸入镀槽，即便人工操作时能够充分晃动提篮，也难以保证每个晶粒的各部位与镀液充分接触。根本原因在于晶粒较小，且作业时容易堆积在一起，溶液只能和表面的部分晶粒充分反应，堆积在内部的晶粒反应较少，镀出的晶粒颜色一般差异较大。

发明内容

本发明针对以上问题，提供了一种能确保每个晶粒的各部位能够均匀、充分与镀液接触的晶粒镀镍金装置。

本发明的技术方案是：包括镀槽和带提把的提篮，所述镀槽具有双层上、下结构的底板一和底板二，位于上部的底板二倾斜设置，且底板二上均布若干尺寸小于所述晶粒的孔；在所述镀槽内还设有底槽，所述底槽设在所述底板二的最低边边缘的下部，所述提篮设在所述底槽内。

所述底板一和底板二之间具有空隙，所述空隙连通氮气源。

所述底板一和底板二之间具有空隙，所述空隙内盘设气管，气管的上部设有若干气孔，所述气管连通氮气源。

所述镀槽呈长方体形，所述底板二为平板，与水平面呈40-75°夹角；所述底板一与底板二平行。

所述镀槽呈圆柱筒形，所述底板二呈螺旋状；所述底板一呈与底板二一致的螺旋状。

本发明改变了以往操作人员手工浸入的方式，从镀槽内底板二的最高端向内逐个投入晶粒，由于底板二倾斜或螺旋倾斜设置，晶粒在重力作用下会沿底板二下行，为防止在下行过程中，晶粒与底板二之间面接触、摩擦，在底板二上开设若干孔，孔内喷出氮气，形成鼓泡，避免晶粒与底板二直接接触、摩擦。滑落到底板二最低端的晶粒最终掉落到提篮中，最后被提出镀槽，完成镀镍金的工序。本发明在减轻劳动强度、提高加工效率的同时，能够避免人工操作晃动提篮时镀液溅到操作人员身体上，减少操作人员直接吸入镀液蒸汽；最后，本发明由于是逐个加入晶粒，并且各晶粒在运行过程中是“悬空”运行，能够充分接触镀液、避免表面与底板二摩擦。

附图说明

图1是本发明的结构示意图，

图2是图1的俯视图，

图3是图1中I处局部放大图，

图4是本发明另一种实施方式的结构示意图；

图中1是镀槽，11是底板一，12是底板二，121是孔，13是底槽，2是空隙，21是气管，210是气孔，3是晶粒，4是提篮，41是提把，5是镀液。

具体实施方式

本发明如图1-4所示：包括镀槽1和带提把41的提篮4，所述镀槽1具有双层上、下结构的底板一11和底板二12，位于上部的底板二12倾斜设置，且底板二12上均布若干尺寸小于所述晶粒的孔121；在所述镀槽1内还设有底槽13，所述底槽13设在所述底板二12的最低边边缘的下部，所述提篮4设在所述底槽13内。

在设置鼓泡措施时，有以下两种手段：

一是：在底板一11和底板二12之间具有空隙2，所述空隙2连通氮气源。

二是：在底板一11和底板二12之间具有空隙2，所述空隙2内盘设气管21，气管21的上部设有若干气孔210，所述气管21连通氮气源。在盘设气管21时，根据不同的间隙形状（矩形、圆形）采用不同的盘设方式，比如同心圆式、S曲折弯式等。

在设置本发明镀槽时，有两种方式，一是如图1-3所示的镀槽1呈长方体形，所述底板二12为平板，与水平面呈40-75°夹角；所述底板一11与底板二12平行。

二是如图4所示，所述镀槽1呈圆柱筒形，所述底板二12呈螺旋状；所述底板一11呈与底板二11一致的螺旋状。