[发明专利]半导体封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构的制作方法，包括：

提供一芯片，具有彼此相对的一有源表面与一背面；

将该芯片配置于一承载板上，其中该有源表面朝向该承载板；

于该承载板上形成一第一封装胶体以覆盖该芯片；

于该第一封装胶体上设置一金属层，该金属层具有彼此相对的一上表面与一下表面、多个形成于该上表面的凹陷以及多个形成于该下表面且对应所述凹陷设置的突出，其中所述突出嵌于该第一封装胶体内；

图案化该金属层以于该第一封装胶体的部分区域上形成多个接垫，其中各该凹陷分别位于各该接垫的一顶表面上，而各该突出分别位于各该接垫的一底表面上；

令该承载板与该第一封装胶体分离；

于该第一封装胶体中形成多个将所述突出暴露的通孔；

于该第一封装胶体与该芯片的该有源表面上形成一重配置线路层，其中部分该重配置线路层从该第一封装胶体延伸至该芯片的该有源表面上以及所述通孔中，以使该芯片通过部分该重配置线路层与所述接垫电性连接；以及

于该重配置线路层上形成多个第一焊球，其中部分所述第一焊球对应于所述接垫设置。

2.如权利要求1所述的半导体封装结构的制作方法，其特征在于，形成所述凹陷与所述突出的方法包括：

提供一金属材料层；

于该金属材料层的一第一表面上形成一第一图案化光阻层；

以该第一图案化光阻层为掩模，移除部分该金属材料层以于该金属材料层的该第一表面上形成所述凹陷；

于该金属材料层的一第二表面上形成一第二图案化光阻层；以及

以该第二图案化光阻层为掩模，移除部分该金属材料层以于该金属材料层的该第二表面上形成所述突出。

3.如权利要求1所述的半导体封装结构的制作方法，其特征在于，图案化该金属层的方法包括：

于该金属层的该上表面上形成一第三图案化光阻层；以及

以该第三图案化光阻层为掩模，移除部分该金属层直至部分该第一封装胶体被暴露。

4.如权利要求1所述的半导体封装结构的制作方法，还包括：

于各该接垫的该顶表面上形成一第二焊球。

5.如权利要求1所述的半导体封装结构的制作方法，还包括：

形成一第二封装胶体于该第一封装胶体上，其中该第二封装胶体覆盖所述接垫与该第一封装胶体。

6.如权利要求1所述的半导体封装结构的制作方法，还包括：

形成所述第一焊球之后，进行一单体化程序，以形成多个各自独立的封装单元。

7.如权利要求1所述的半导体封装结构的制作方法，还包括：

于该第一封装胶体呈一半固化状态时，将该金属层设置于该第一封装胶体上，以使所述突出嵌入于该第一封装胶体内；以及

于图案化该金属层之前，同时对该第一封装胶体与该金属层进行一烘烤步骤，以固化该第一封装胶体。

8.一种半导体封装结构，包括：

一芯片，具有彼此相对的一有源表面与一背面；

一第一封装胶体，覆盖该芯片且具有多个通孔，其中该第一封装胶体的一底面与该芯片的该有源表面实质上齐平；

一金属层，设置于部分该第一封装胶体上，且具有多个凹陷、多个对应所述凹陷设置的突出以及多个接垫，其中各该凹陷分别位于各该接垫的一顶表面上，而各该突出分别位于各该接垫的一底表面上，且所述通孔暴露出所述突出；

一重配置线路层，配置于该第一封装胶体与该芯片的该有源表面上，其中部分该重配置线路层从该第一封装胶体延伸至该芯片的该有源表面上以及所述通孔中，以使该芯片通过部分该重配置线路层与所述接垫电性连接；以及

多个第一焊球，配置于该重配置线路层上，其中部分所述第一焊球对应于所述接垫设置。

9.如权利要求8所述的半导体封装结构，还包括多个第二焊球，配置于所述接垫的所述顶表面上。

10.如权利要求8所述的半导体封装结构，还包括一第二封装胶体，配置于该第一封装胶体上，其特征在于，该第二封装胶体覆盖所述接垫与该第一封装胶体。