[发明专利]CoNiP膜的电沉积无效
| 申请号： | 201110308067.8 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102443826A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | V·文卡塔萨米;M·孙;I·塔巴科维克;M·X·唐 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | C25D3/56 | 分类号： | C25D3/56;H01F10/16 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈炜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | conip 沉积 | ||
1.一种在衬底上形成CoNiP的方法，包括以下步骤：
在电镀浴中放置衬底，所述电镀浴包含电镀组合物，所述电镀组合物包括：
镍源；
钴源；和
至少约0.1M的磷源；以及
对所述衬底施加沉积电流，
其中对所述衬底施加所述沉积电流将使具有至少约500纳米的厚度的CoNiP层被电沉积在所述衬底上。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述磷源选自亚磷酸。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述磷源选自次磷酸钠(NaH2PO2)、次磷酸钾(KH2PO2)、次磷酸钙(Ca(H2PO2)2)、次磷酸镁(Mg(H2PO2)2)、或其组合。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述磷源具有至少约0.25M的浓度。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述镍源选自NiCl2、NiBr2、NiSO4、Ni(SO3NH2)·4H2O、Ni(BF4)2、及其组合。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钴源选自CoCl2、CoBr2，CoSO4、及其组合。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电镀浴进一步包括至少约0.5M的NaCl。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电镀浴进一步包括至少约1mM的糖精。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述电镀浴具有小于约20mM的糖精浓度。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电镀浴具有约为3的pH。
11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积电流为至少约8mA/cm2。
12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积电流为约10mA/cm2。
13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述CoNiP膜具有至少约1微米的厚度。
14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述CoNiP膜具有约5微米的厚度。
15.一种在衬底上形成CoNiP的方法，包括以下步骤：
在电镀浴中放置衬底，所述电镀浴包含电镀组合物，所述电镀组合物具有从约3到4的pH并且包括：
镍盐；
钴盐；和
至少约0.15M的NaH2PO2、KH2PO2、Ca(H2PO2)2、Mg(H2PO2)2、磷酸、或其组合；以及
对所述衬底施加至少约8mA/cm2的沉积电流，
其中对所述衬底施加所述沉积电流将使CoNiP在所述衬底上被电沉积到至少约5微米的厚度。
16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述镍盐选自约0.1M到0.3M的NiCl2、NiBr2、及其组合；并且所述钴盐选自约0.1M到0.3M的CoCl2，CoBr2、及其组合。
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