[发明专利]一种铁电单晶铌铁酸铅-铌镱酸铅-钛酸铅及其制备方法

权利要求书

1.一种铁电单晶材料铌铁酸铅-铌镱酸铅-钛酸铅，其特征在于：该材料化学式为(1-x-y)Pb(Fe_1/2Nb_1/2)O₃-xPb(Yb_1/2Nb_1/2)O₃-yPbTiO₃，属于典型的钙钛矿结构，其中，x＝0～0.6，y＝0.05～0.6，该固溶体存在准同型相界区。

2.根据权利要求1所述的铁电单晶材料，特征在于：该材料的化学组成为0.10PFN-0.38PYN-0.52PT。

3.一种权利要求1所述的铁电单晶材料的制备方法，包括如下生长步骤：

a)将初始原料PbO或Pb₃O₄、Fe₂O₃、TiO₂、Yb₂O₃、Nb₂O₅按晶体的化学组成进行配比；

b)助溶剂采用PbO或Pb₃O₄和H₃BO₃或B₂O₃复合助溶剂；

c)将晶体原料和助溶剂在容器中混合研磨；

d)将混合均匀的粉料装入铂金坩埚中，并把铂金坩埚置于晶体生长炉中化料；

e)在晶体生长过程中将原料加热至950-1200℃之间，恒温一定时间，然后以每天1-20℃的速率降温；生长结束，以5-30℃/h降温退火，后取出晶体。

4.一种权利要求1所述的铁电单晶材料的制备方法，包括如下生长步骤：

a)将初始原料PbO或Pb₃O₄、Fe₂O₃、TiO₂、Yb₂O₃、Nb₂O₅按晶体的化学组成进行配比；

b)助溶剂采用PbO或Pb₃O₄和H₃BO₃或B₂O₃复合助溶剂；

c)将晶体原料和助溶剂在容器中混合研磨；

d)将混合均匀的粉料装入铂金坩埚中，并把铂金坩埚置于晶体生长炉中化料；

e)在晶体生长过程中将原料加热至950-1200℃之间，恒温一定时间；然后用高温溶液法生长的籽晶找到过饱和温度，在过饱和温度引入籽晶生长，生长过程中晶转速率为5-30rpm，降温速率为每天0.2-5℃；生长结束，以5-30℃/h降温退火，后取出晶体。

5.根据权利要求4所述的铁电单晶材料的制备方法，其特征在于：所述的籽晶生长方向为(001)或(110)或(111)方向。

6.一种权利要求1所述的铁电单晶材料的用途，其特征在于：该材料用于压电领域的器件上。