[发明专利]一种生长CaxBa1-xNb2O6系列晶体的方法无效

专利信息
申请号: 201110308500.8 申请日: 2011-10-12
公开(公告)号: CN102358954A 公开(公告)日: 2012-02-22
发明(设计)人: 王越;马云峰;蒋毅坚;邸大伟;徐宏;刘国庆 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: C30B29/30 分类号: C30B29/30;C30B13/00
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 刘萍
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 生长 ca sub ba nb 系列 晶体 方法
【权利要求书】:

1.一种生长CaxBa1-xNb2O6系列晶体的方法,其特征在于步骤 如下:

(1)将粉料CaCO3、BaCO3和Nb2O5按CaxBa1-xNb2O6化学计量比进行配料,其中x=0.22、0.25、0.28、0.32或0.35,球 磨烘干、200目过筛;在1200~1250℃保温12~30h条件下预烧, 再次球磨、烘干,80目过筛;

(2)将(1)中制得的80目过筛后的粉料装入长条橡胶气球 中压实封闭,抽真空,在65~70MPa等静压下制成粗细、密度均匀 的素坯棒;

(3)将(2)中制得的素坯棒在提拉旋转烧结炉中1380~ 1440℃保温6h~24h烧结得到致密均匀多晶料棒;

(4)将(3)制得的多晶料棒置于浮区炉中,设置料棒和籽 晶的旋转方向为反向,旋转速度为20~40rpm,浮区炉的卤素灯的 输出功率为1100~1210W/h,以60~100℃/min的速率升温至料 棒和籽晶融化,对接;设置晶体生长速度为2~5mm/h开始生长;

(5)设置降温时间为0.5~6h,将生长出的晶体冷却至室温。

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