[发明专利]以ZnO晶体为模型制备金属微纳米阵列电极的方法

权利要求书

1.以ZnO晶体为模型制备金属微纳米阵列电极的方法，其特征是，步骤如下：

（1）在基底上电沉积出ZnO晶体微纳米阵列；

（2）在ZnO晶体微纳米阵列上甩一层光刻胶，将其覆盖淹没，热处理，使光刻胶稳固，然后浸入到相应光刻胶的去胶液中浸泡，或用等离子体处理，除掉部分光刻胶，使ZnO晶体的顶端露出；

（3）用酸或碱浸泡处理，将ZnO晶体除掉，剩下具有规则形状孔洞的光刻胶层粘附在基底上；

（4）然后将制得的样品浸入到含有待沉积金属的溶液中，用电沉积的方法沉积金属，金属晶体会在形成的孔洞中生长，但金属晶体的长度不要超过孔洞的长度；

（5）最后，用去胶液或等离子体将光刻胶除掉。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征是，步骤（1）中所用基底为ITO/玻璃基底。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征是，步骤（2）中所用光刻胶为Ultra-i 123、S1805或AZ系列光刻胶。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征是，Ultra-i 123光刻胶对应的处理液为KOH溶液，优选质量浓度为0.1-10％的KOH溶液。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征是，S1805光刻胶对应的处理液为NaOH溶液，优选质量浓度为0.1-10％的NaOH溶液。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征是，AZ系列光刻胶对应的处理液为Na₂CO₃溶液，优选质量浓度为0.1-10％的Na₂CO₃溶液。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征是，步骤（2）中所述浸泡时间是0.5-20min。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征是，步骤（3）中所用的酸为盐酸、硫酸或醋酸，酸的浓度优选为0.01—1M。

9.根据权利要求5所述的方法，其特征是，步骤（3）中所用的碱为氢氧化钠，碱的浓度优选为1-3M。

10.据权利要求1所述的方法，其特征是，步骤（3）中所述待沉积金属是Ni、Co、Fe、Bi、Au、Pt或Pt-Co。