[发明专利]一种垂直结构纳米线隧穿场效应晶体管及其的制备方法无效
| 申请号： | 201110309367.8 | 申请日： | 2011-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102412301A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 包微宁;曹成伟;王鹏飞;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/43;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 结构 纳米 线隧穿 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
1.一种垂直结构纳米线隧穿场效应晶体管，其特征在于，包括：
一个p型重掺杂的半导体衬底；
位于所述衬底之上形成的籽晶层；
位于所述籽晶层之上形成的垂直结构的纳米线；
位于所述纳米线沟道四周并覆盖所述籽晶层形成的栅介质层；
覆盖所述栅介质层形成的重掺杂多晶硅栅极；
所述的纳米线顶端作为器件的漏极，并与金属接触作为金属电极引出；以所述重掺杂的半导体衬底作为源极。
2.根据权利要求1所述的垂直结构纳米线隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述的衬底为硅、绝缘体上的硅或者为聚酰亚胺。
3.根据权利要求1所述的垂直结构纳米线隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述的纳米线沟道由ZnO纳米线形成。
4.一种垂直结构纳米线隧穿场效应晶体管的制备方法，其特征在于具体步骤为：
提供一个p型重掺杂的半导体衬底；
在所述衬底的特定区域上生长一层ZnO网格籽晶层；
以所形成的网格籽晶层为固态源，在水浴环境下生长ZnO纳米线；
在所述ZnO纳米线和衬底四周形成第一层绝缘薄膜；
在所述第一层绝缘薄膜上淀积形成高浓度掺杂的多晶硅层；
刻蚀所形成的多晶硅层与第一层绝缘薄膜露出ZnO纳米线；
在所形成的多晶硅层上定义出栅极电极图案；
形成第二层绝缘薄膜并刻蚀所述第二层绝缘薄膜露出ZnO纳米线的顶端；
以露出的ZnO纳米线顶端作为器件的漏极并进行金属接触形成漏极电极；
形成第三层绝缘薄膜并刻蚀所述第三层绝缘薄膜形成通孔并用一层金属将漏极电极与栅极电极引出。
5.根据权利要求4所述的垂直结构纳米线隧穿场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述的第一层绝缘薄膜为SiO2或者为HfO2。
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