[发明专利]半导体封装、基板及基板制造方法有效

专利信息
申请号: 201110309463.2 申请日: 2011-10-13
公开(公告)号: CN102361024A 公开(公告)日: 2012-02-22
发明(设计)人: 苏洹漳;黄士辅;陈嘉成;李明锦 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/14 分类号: H01L23/14;H01L21/48;H01L21/768;H01L23/522
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陶凤波
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体封装,包括:

基板,包括:

两外层,分别包括一外图案化导电层;

两防焊层,分别位于两外层的表面上,且各该防焊层暴露出对应的 该外图案化导电层的一部分以定义出多个接触垫;

多个内层,位于该两外层的中间并与其电连接,该些内层分别具有:

内图案化导电层;

多个内导电柱,位于该内图案化导电层上;以及

内介电层,位于该内图案化导电层及该些内导电柱之间且暴露该些 内导电柱的上表面,该内介电层包含纤维加强型树脂材料,其中位于该些内 导电柱周围的纤维受到该些内导电柱垂直延伸方向的推挤,使其排列方向远 离该内图案化导电层;以及

中图案化导电层,位于该些内层的一上表面,与该些内层上方的该外层 连接;以及

芯片,电连接至少部分该些接触垫。

2.如权利要求1所述的半导体封装,其中该些外层还包括:

多个外导电柱,分别位于该些内层的上下表面的该中图案化导电层及该 内图案化导电层上;以及

两外介电层,分别位于该些外导电柱之间且暴露该些外导电柱的上表 面,该些外图案化导电层分别位于各该外介电层及该些外导电柱上,且该些 防焊层分别位于各该外介电层及至少部分各该外图案化导电层上。

3.如权利要求1所述的半导体封装,其中该些外层还包括:

多个半导电柱,分别位于该些内层的上下表面的该中图案化导电层及该 内图案化导电层上;

两外介电层,分别覆盖该中图案化导电层、该内图案化导电层及该些半 导电柱;

两第一导电层,分别位于部分该些外介电层上;

多个开口,分别由各该第一导电层延伸至该外介电层,该些开口暴露至 少部分的该些半导电柱表面;以及

两第二导电层,分别位于该些第一导电层及该些半导电柱上,该些外图 案化导电层分别位于各该第二导电层上,该些防焊层分别位于各该外介电层 及至少部分该外图案化导电层上。

4.如权利要求1所述的半导体封装,其中该些外层还包括:

两外介电层,分别覆盖该中图案化导电层及该内图案化导电层;

两第一导电层,分别位于部分该些外介电层上;

多个开口,分别由各该第一导电层延伸至该外介电层,该些开口暴露至 少部分的该中图案化导电层及该内图案化导电层;以及

两第二导电层,分别位于该中图案化导电层、该内图案化导电层及该些 第一导电层上,该些外图案化导电层分别位于各该第二导电层上,该些防焊 层分别位于各该外介电层及至少部分该外图案化导电层上。

5.如权利要求1所述的半导体封装,其中该芯片覆晶接合于至少部分该 些接触垫。

6.如权利要求1所述的半导体封装,其中该芯片打线接合于至少部分该 些接触垫。

7.一种基板,包括:

两外层,分别包括一外图案化导电层;

两防焊层,分别位于该两外层的表面上,且各该防焊层暴露出对应的该 外图案化导电层的一部分以定义出多个接触垫;

多个内层,位于该两外层的中间并与其电连接,该些内层分别具有:

内图案化导电层;

多个内导电柱,位于该内图案化导电层上;以及

内介电层,位于该内图案化导电层及该些内导电柱之间且暴露该些内导 电柱的上表面,该内介电层包含纤维加强型树脂材料,其中位于该些内导电 柱周围的纤维受到该些内导电柱垂直延伸方向的推挤,使其排列方向远离该 内图案化导电层;以及

中图案化导电层,位于该些内层的一上表面,与该些内层上方的该外层 连接。

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