[发明专利]一种具有P型埋岛结构的沟槽型绝缘栅双极型晶体管无效
| 申请号： | 201110309625.2 | 申请日： | 2011-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102354706A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;单亚东;张金平;张波;任敏 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/10 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 型埋岛 结构 沟槽 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有P型埋岛结构的沟槽型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管的N-漂移区(4)内具有P型埋岛结构(12)。
2.根据权利要求1所述的具有P型埋岛结构的沟槽型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述P型埋岛结构(12)的截面形状为方形、条形、三角形、梯形、圆形或椭圆形。
3.根据权利要求1或2所述的具有P型埋岛结构的沟槽型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述P型埋岛结构(12)为单岛结构。
4.根据权利要求1或2所述的具有P型埋岛结构的沟槽型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述P型埋岛结构(12)为双岛或多岛结构。
5.根据权利要求1或2所述的具有P型埋岛结构的沟槽型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管的集电极为电场终止结构、透明阳极结构或阳极短路结构。
6.根据权利要求1或2所述的具有P型埋岛结构的沟槽型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管的半导体材料采用硅、碳化硅、砷化镓或者氮化镓。
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