[发明专利]超厚光刻胶的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201110309626.7 | 申请日： | 2011-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN103050394A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 王雷;郭晓波;程晋广 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 刻蚀 方法 | ||
1.一种超厚光刻胶的刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、使用湿法刻蚀；
步骤二、硅片刻蚀并进行清洗；
反复循环步骤二直至完全刻蚀。
2.根据权利要求1的超厚光刻胶的刻蚀方法，其特征在于，湿法刻蚀药液为γ-羟基丁酸内酯GBL，N-甲基吡咯烷酮NMP，丙二醇甲醚PGME，丙二醇甲醚醋酸酯PGMEA纯溶液或混合液。
3.根据权利要求1的超厚光刻胶的刻蚀方法，其特征在于，步骤二中的刻蚀可以为批式浸入式刻蚀，或单片式旋转刻蚀。
4.根据权利要求1的超厚光刻胶的刻蚀方法，其特征在于，步骤二中的清洗为纯水冲洗。
5.根据权利要求1的超厚光刻胶的刻蚀方法，其特征在于，步骤二，三的循环步骤，每次刻蚀加清洗完成后需要离开腔体，然后循环多次进入腔体。
6.根据权利要求1的超厚光刻胶的刻蚀方法，其特征在于，步骤二清洗完成后，可以追加一个60C～200C的低温烘烤，时间为10S～300S。
7.根据权利要求1的超厚光刻胶的刻蚀方法，其特征在于，湿法刻蚀，可以通过光刻显影方式来完成。
8.根据权利要求1的超厚光刻胶的刻蚀方法，其特征在于，光刻胶厚度其旋涂后厚度＞15um。
9.根据权利要求1的超厚光刻胶的刻蚀方法，其特征在于，单次刻蚀时间＜其降至饱和刻蚀速率的2倍的刻蚀时间，并增加10％～30％的过刻蚀时间。
10.根据权利要求1的超厚光刻胶的刻蚀方法，其特征在于，光刻胶应用于400摄氏度以上高温工作环境，高温持续时间＞30分钟。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
