[发明专利]一种半导体封装在塑封前的表面纳米膜处理方法

权利要求书

1.一种半导体封装在塑封前的表面纳米膜处理方法，其特征在于包括以下步骤，步骤a：对待处理材料表面均匀施用少量助粘剂溶液，使之附着在需要加强的表面；步骤b：助粘剂溶液中的溶剂常温挥发风干，或者通过烘烤的方式烘干，挥发后的助粘剂活性成分涂层厚度控制在纳米级厚度，助粘剂活性成分涂层和待处理材料需加强的表面形成化学键合；步骤c：进行后道塑封工序，已经与待处理材料表面形成化学键合的纳米级厚度的助粘剂活性成分另一侧的官能团与塑封过程中使用的环氧树脂形成化学键合。

2.根据权利要求1所述的半导体封装在塑封前的表面纳米膜处理方法，其特征在于：所述步骤a中，对待处理的的材料表面施用了助粘剂溶液，溶剂为有机溶剂，溶质为助粘活性物。

3.根据权利要求1所述的半导体封装在塑封前的表面纳米膜处理方法，其特征在于：所述步骤a中，助粘剂溶液通过微喷涂设备以非接触方式喷涂在待处理材料需要加强的表面上。

4.根据权利要求1所述的半导体封装在塑封前的表面纳米膜处理方法，其特征在于：所述步骤a中，进行助粘处理时使用的助粘剂活性成分是钛酸酯偶联剂R1-O-Ti-(O-X1-R2-Y)n或硅烷偶联剂(R1-O)2-Si-R2-Y。

5.根据权利要求1所述的半导体封装在塑封前的表面纳米膜处理方法，其特征在于：所述步骤b中，微喷涂形成的液体涂层可以采用常温挥发的方式，挥发的时间为5分钟到72小时，或采用加热烘烤的方式以加快纳米级涂层的形成，烘烤的温度为60度到150度，烘烤的时间为5到60分钟。

6.根据权利要求1所述的半导体封装在塑封前的表面纳米膜处理方法，其特征在于：所述步骤a中助粘剂溶液，溶剂含量为95％-99.9％，活性偶联剂含量为0.1％-5％，然后用微喷涂设备均匀喷涂在待处理材料表面，溶液的使用量为5ml/m²-100ml/m²，溶剂挥发后存留的活性纳米级厚度的助粘剂活性成分的厚度为5-100nm。

7.根据权利要求1所述的半导体封装在塑封前的表面纳米膜处理方法，其特征在于：所述步骤a的助粘剂溶液中，有机溶剂含量为97％-99.7％，助粘剂活性成分含量为0.3％-3％。

8.根据权利要求1所述的半导体封装在塑封前的表面纳米膜处理方法，其特征在于：所述步骤a中，助粘剂溶液均匀喷涂在待处理材料表面，溶剂挥发后存留的助粘剂活性成分涂层的厚度为20-60nm。

9.根据权利要求1所述的半导体封装在塑封前的表面纳米膜处理方法，其特征在于所述步骤a中助粘处理的区域有引线框架内部引脚、引线框架芯片焊垫、连接导线、芯片，或其中某一个部分进行处理。

10.根据权利要求1所述的半导体封装在塑封前的表面纳米膜处理方法，其特征在于所述步骤a中助粘处理的区域有PCB基板封装区域，连接导线，芯片，或对其中某一部分进行处理。

11.根据权利要求1所述的半导体封装在塑封前的表面纳米膜处理方法，其特征在于：所述步骤a中助粘剂溶液的活性成分是三异硬脂酸基钛酸异丙酯或3-氨丙基硅三醇，或乙烯基三甲氧基硅烷。