[发明专利]通过POR来抑制电压调整电路上电过冲的结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体电路结构。

背景技术

在电压调整电路中，用PMOS做驱动管可以明显抑制输出对输入的干扰波动，而用NMOS做驱动管可以明显抑制输入对输出的干扰波动，因此，根据使用场合需要，两种电路都广泛应用。但是PMOS做驱动管的电路中，在上电过冲中很容易在输出端产生过冲。因此我们需要一个抑制过冲的电路。传统的抑制过冲电路在上电过程中，特别是快上电过程中，仍然过冲过大。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种通过POR来抑制电压调整电路上电过冲的结构，它可以解决抑制过冲电路在上电过程中，特别是快上电过程中，仍然过冲过大的问题。

为了解决以上技术问题，本发明提供了一种通过POR来抑制电压调整电路上电过冲的结构；包括：上电复位电路POR的输出连接2选1电路MUX的选择输入端；电压调整电路的电阻串R2上产生两个报警电压refdl和refdh分别接2选1电路MUX的两个输入；比较器CMP的输入端分别是2选1电路的输出和基本电压vref；比较器CMP的输出连上拉管Mpullup的栅极；上拉管Mpullup的源端和漏端分别连接电源和电压调整电路的驱动管Mdrive的栅极。

本发明的有益效果在于：在上电过程中，特别是快上电过程中，过冲较小。

当外部电源Vext快上电时，POR先输出复位信号低电平，选择较低的报警电压，电压调整电路完成上电过程，然后POR输出高电平，选择较高的报警电压，电路进入正常工作模式。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。

图1是针对PMOS驱动管电压调整电路的常用的抑制上电过冲的电路结构示意图；

图2针对PMOS驱动管电压调整电路的改进的抑制上电过冲的电路结构示意图。

具体实施方式

一种通过POR来抑制电压调整电路上电过冲的结构，包括：OP、Mdrive、R1和R2构成传统的电压调整电路REG，上电复位电路POR的输出连接2选1电路MUX的选择输入端，电压调整电路的电阻串R2上产生两个报警电压refdl和refdh分别接2选1电路MUX的两个输入，比较器CMP的输入端分别是2选1电路的输出和基本电压vref，比较器CMP的输出连上拉管Mpullup的栅极，上拉管Mpullup的源端和漏端分别连接电源和电压调整电路的驱动管Mdrive的栅极。

如图1所示，对于PMOS驱动管的电压调整电路。当外部电源Vext快速上电时，由于节点pgate不能快速响应，导致输出Vdd会有明显的过冲，并且vext上电时间越短，Vdd过冲越大。传统的过冲抑制电路是通过对Vdd输出电压值的检测来控制Mpullup，当Vdd电压过高时，打开Mpullup即可关断驱动管Mdrive，起到保护的作用，此时Vdd的电压为报警电压。但是，由于比较器的带宽不可能做到无限大，总是有一个延时，所以在快上电时，当电压Vdd过高时，Mdrive来不及关断，过冲会尤为厉害。

降低报警电压可以有效抑制过冲，但是在正常工作时，由于电压调整电路负载变化的原因，会产生正常Vdd的电压波动，而这个时候，我们不希望抑制过冲电路启动。因此，我们的抑制过冲电路必须满足两个条件：一是保证正常工作时不能开启，要求报警电压相对较高；二是上电过程时过冲抑制，要求报警电压相对较低。

鉴于以上考虑，这里通过POR把上电过程和正常工作过程区别开，并在不同的过程中，分别给予不同的报警关断电压，由POR输出来选择Mux，如图2所示。当外部电源Vext快上电时，POR先输出复位信号低电平，选择较低的报警电压，电压调整电路完成上电过程，然后POR输出高电平，选择较高的报警电压，电路进入正常工作模式。

如图2所示，这是一种通过POR来抑制PMOS驱动管的电压调整电路上电过冲的结构。其中OP、Mdrive、R1和R2构成传统的电压调整电路REG，上电复位电路POR的输出连接2选1电路MUX的选择输入端，电压调整电路的电阻串R2上产生两个报警电压refdl和refdh分别接2选1电路MUX的两个输入，比较器CMP的输入端分别是2选1电路的输出和基本电压vref，比较器CMP的输出连上拉管Mpullup的栅极，上拉管Mpullup的源端和漏端分别连接电源和电压调整电路的驱动管Mdrive的栅极。

本发明并不限于上文讨论的实施方式。以上对具体实施方式的描述旨在于为了描述和说明本发明涉及的技术方案。基于本发明启示的显而易见的变换或替代也应当被认为落入本发明的保护范围。以上的具体实施方式用来揭示本发明的最佳实施方法，以使得本领域的普通技术人员能够应用本发明的多种实施方式以及多种替代方式来达到本发明的目的。