[发明专利]一种提高半导体封装可靠性的综合表面处理方法

权利要求书

1.一种提高半导体封装可靠性的综合表面处理方法，其特征在于，包括以下步骤，步骤a：对待处理材料需要处理的部分进行等离子处理；步骤b：对待处理材料表面施用助粘剂溶液，使之附着在需要加强的表面；步骤c：助粘剂溶液中的溶剂常温挥发风干，或者通过烘烤方式烘干。

2.根据权利要求1所述的提高半导体封装可靠性的综合表面处理方法，其特征在于：所述步骤a中，先使用氩气对待处理材料进行等离子处理，再使用氮气进行等离子处理。

3.根据权利要求2所述的提高半导体封装可靠性的综合表面处理方法，其特征在于：所述步骤a中，将待处理材料的表面暴露在等离子体入射范围下，抽真空使得腔体内真空度小于0.2托，射频发生器发出高频波，使连为一体的腔体内的氩气成为等离子体，在电场的驱动下撞击腔内待处理材料的表面，射频波功率550+/-200瓦，作用时间30+/-15秒，氩气的流量25+/-15标准立方厘米，待氩气处理步骤完成后，再通入氮气，氮气作用时，射频波功率350+/-150瓦，作用时间30+/-20秒，氮气的流量25+/-15标准立方厘米。

4.根据权利要求1所述的提高半导体封装可靠性的综合表面处理方法，其特征在于：所述步骤b中，助粘剂溶液通过微喷涂设备以非接触方式喷涂在待处理材料需要加强的表面上。

5.根据权利要求1所述的提高半导体封装可靠性的综合表面处理方法，其特征在于：所述步骤b中助粘剂溶液的活性成分是钛酸酯偶联剂R1-O-Ti-(O-X1-R2-Y)n或硅烷偶联剂(R1-O)2-Si-R2-Y。

6.根据权利要求5所述的提高半导体封装可靠性的综合表面处理方法，其特征在于：所述步骤b的助粘剂溶液中，有机溶剂含量为95％-99.9％，助粘剂活性成分含量为0.1％-5％，所述步骤b中，将助粘剂溶液均匀喷涂在待处理材料表面，助粘剂溶液的使用量为5ml/m²-100ml/m²。

7.根据权利要求5所述的提高半导体封装可靠性的综合表面处理方法，其特征在于：所述步骤b中，助粘剂溶液均匀喷涂在待处理材料表面，溶剂挥发后存留的助粘剂活性成分的厚度为5-100nm。

8.根据权利要求5所述的提高半导体封装可靠性的综合表面处理方法，其特征在于：所述步骤b的助粘剂溶液中，有机溶剂含量为97％-99.7％，助粘剂活性成分含量为0.3％-3％，将溶液均匀喷涂在待处理材料表面，溶液使用量为20ml/m²-60ml/m²，溶剂挥发后存留的助粘剂活性成分的厚度为20-60nm。

9.根据权利要求1所述的提高半导体封装可靠性的综合表面处理方法，其特征在于：所述步骤a中等离子处理区域在引线框架类产品上有引线框架，连接导线，芯片；或者在PCB基板类产品上，有PCB基板，连接导线，芯片。

10.根据权利要求1所述的提高半导体封装可靠性的综合表面处理方法，其特征在于：所述步骤b中助粘处理区域在引线框架类产品上有引线框架，连接导线，芯片；或者在PCB基板类产品上，有PCB基板，连接导线，芯片。

11.根据权利要求1所述的提高半导体封装可靠性的综合表面处理方法，其特征在于：所述步骤b中，应当在有效存放时间内进行助粘处理，完成等离子处理后的待处理材料暴露在大气中的时间控制在1.5小时之内，10000及100000级无尘环境下保存的时间小于3小时，氮气柜中保存时间小于12小时。

12.根据权利要求1所述的提高半导体封装可靠性的综合表面处理方法，其特征在于：所述步骤c中，助粘剂溶液形成的液体涂层可以采用常温挥发的方式，挥发的时间为5分钟到72小时，或采用加热烘烤的方式烘干，烘烤的温度为60度到150度，烘烤的时间为5到60分钟。

13.根据权利要求1所述的提高半导体封装可靠性的综合表面处理方法，其特征在于：所述步骤c中，烘干后，大气环境下在96小时之内进行下道塑封工序，无尘氮气柜存放环境下，在1个月之内进行下道塑封工序。

14.根据权利要求1所述的提高半导体封装可靠性的综合表面处理方法，其特征在于：所述步骤b中助粘剂溶液的活性成分是三异硬脂酸基钛酸异丙酯或3-氨丙基硅三醇，或三钛酸异丙酯，或乙烯基三甲氧基硅烷。