[发明专利]光伏器件无效
申请号: | 201110309663.8 | 申请日: | 2011-09-29 |
公开(公告)号: | CN102446988A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | L·查卡拉科斯;A·M·斯里瓦斯塔瓦;B·A·科雷瓦尔;O·I·斯特恩冈萨雷斯;Y·A·奚 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/042 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张金金;朱海煜 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 器件 | ||
1.一种光伏器件,其包括:
具有第一表面和第二表面的玻璃板,其中所述第一表面暴露于周围辐射;
邻近所述玻璃板的所述第二表面的透明导电层;
邻近所述透明导电层设置的第一类型半导体层;
邻近所述第一类型半导体层设置的第二类型半导体层,以及
插入所述玻璃板的所述第二表面和所述透明导电层之间的降频转换层,其中所述降频转换层展现具有处于所述玻璃板和所述透明导电层的相应折射率之间的值的有效折射率。
2.如权利要求1所述的光伏器件,其中所述第二类型半导体层包括碲化镉。
3.如权利要求1所述的光伏器件,其中所述第二类型半导体层包括铜-铟-镓-联硒化物、铜-锌-锡硫化物或其的组合。
4.如权利要求1所述的光伏器件,其中所述降频转换层包括从由氧化物、卤化物和磷酸盐构成的组选择的磷光体材料。
5.如权利要求4所述的光伏器件,其中所述降频转换磷光体包括掺钐的硼酸锶SrB4O7:Sm2+、掺钐的(Sr,Ca,Ba)BPO5、掺铕的(Sr,Ca)SiO4、掺钐的BaAlF5、掺钐的(Ba,Sr,Ca)MgF4和其的组合。
6.如权利要求4所述的光伏器件,其中所述磷光体材料的微粒被散布在透明基体中。
7.如权利要求6所述的光伏器件,其中所述降频转换微粒包括具有核和设置在所述核上的壳层的微粒。
8.如权利要求1所述的光伏器件,其中所述降频转换层具有从大约0.5微米至大约100微米的厚度。
9.如权利要求1所述的光伏器件,其中所述降频转换层展现渐变有效折射率。
10.一种包括多个如权利要求1所述的光伏器件的光伏模块。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的