[发明专利]In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜及其制备方法

权利要求书

1. In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜，其特征在于：将In₂O₃、SnO₂、Nb₂O₅和MoO₃粉末均匀混合后压制成型，然后在1250℃下烧结，制得Nb、Mo、Sn共掺杂In₂O₃陶瓷靶材，所述In₂O₃、SnO₂、Nb₂O₅和MoO₃ 粉末的质量比为91:5:1:3；将Nb、Mo、Sn共掺杂In₂O₃陶瓷靶置于脉冲激光沉积装置中沉积，制得In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜，该透明导电薄膜的最低电阻率达2.23×10^-4Ω·cm，平均透光率在90%以上。

2. 一种制备如权利要求1所述的In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）将In₂O₃、SnO₂、Nb₂O₅和MoO₃粉末均匀混合后，压制成型，然后在1000℃-1400℃温度下烧结，制得Nb、Mo、Sn共掺杂In₂O₃陶瓷靶材，所述In₂O₃、SnO₂、Nb₂O₅和MoO₃ 粉末的质量比为91:5:1:3；

（2）将步骤（1）得到的In、Sn、Nb、Mo共掺杂靶材和依次用超声波及丙酮清洗过的石英片或者玻璃基片衬底，放入脉冲激光沉积装置的生长室中，所述靶材与所述衬底之间的距离为3cm-6cm，生长室真空度抽到压强小于8×10^-4Pa，衬底温度为300℃-600℃，生长室内通入纯度为99.99%的氧气，并且氧分压为4pa；开启激光器，激光频率5Hz，让激光束聚焦到所述靶材表面烧蚀靶材，形成羽辉，沉积到所述衬底上，沉积时间为25min，制得In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜。