[发明专利]划片槽框架自动设计方法有效
申请号: | 201110309721.7 | 申请日: | 2011-10-13 |
公开(公告)号: | CN103050490A | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | 曹晨;周京英;孙长江 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 刘昌荣 |
地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 划片 框架 自动 设计 方法 | ||
1.一种划片槽框架自动设计方法,其特征在于,包括步骤:
1)对需要在划片槽中精确定位的标记图形,将该标记图形相对于划片槽框架原点的距离,作为该标记图形内部有效图形在该标记图形内部的偏移量,重新生成新的标记图形;
2)将步骤1)生成的新的标记图形,按照划片槽框架原点,优先放置于划片槽中。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤1)中,所述距离为所述标记图形的坐标原点相对于划片槽框架原点在X方向和Y方向上的距离。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,当芯片带有熔丝结构,且所述熔丝结构延伸至划片槽内部时,在芯片与划片槽框架拼合前,先生成只有占位标识层而无实际有效图形的占位标记图形,并将所述占位标记图形优先放置在划片槽中熔丝结构对应的位置处。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述占位标识层的宽度为所述熔丝结构的宽度,占位标识层偏离划片槽框架原点的距离为所述熔丝结构偏离芯片的距离。
5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,第一个占位标记图形之后的其他占位标记图形,由第一个占位标记图形依次加上或减去芯片在有熔丝结构方向的长度而生成。
6.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述占位标记图形按照最高优先级,从划片槽框架的底边中心依次开始放置。
7.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述占位标记图形的个数为芯片在有熔丝结构方向的排布数。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的