[发明专利]六方晶系钛酸钡粉末、其制造方法、电介质陶瓷组合物、电子部件及电子部件的制造方法有效
| 申请号： | 201110309878.X | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102442825A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 日高重和;石井辰也;塚田岳夫;夏井秀定;增田健一郎 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/468 | 分类号： | C04B35/468;C04B35/626;C04B35/622 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 卢曼;高旭轶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 六方晶系 钛酸钡 粉末 制造 方法 电介质 陶瓷 组合 电子 部件 | ||
【权利要求书】：
1.六方晶系钛酸钡粉末，其是含有以通式(Ba1-αMα)A(Ti1-βGaβ)BO3表示、晶体结构为六方晶的钛酸钡作为主成分的钛酸钡粉末，其特征在于，
所述M的12配位时的有效离子半径相对于12配位时的Ba2+的有效离子半径为±25％以内；
所述A、B、α和β满足0.975≤(A/B)≤1.015、0.0015≤α≤0.005、0.075≤β≤0.15的关系。
2.权利要求1所述的六方晶系钛酸钡粉末的制造方法，该方法包括：
准备钛酸钡的原料、元素M的原料和Ga的原料的工序；和
对所述钛酸钡的原料、元素M的原料和所述Ga的原料进行热处理的工序。
3.电介质陶瓷组合物，该组合物以六方晶系钛酸钡作为主成分，所述六方晶系钛酸钡以通式(Ba1-αMα)A(Ti1-βGaβ)BO3表示、晶体结构为六方晶，所述M的12配位时的有效离子半径相对于12配位时的Ba2+的有效离子半径为±25％以内，所述A、B、α和β满足0.975≤(A/B)≤1.015、0.0015≤α≤0.005、0.075≤β≤0.15的关系。
4.电子部件，该电子部件具有由权利要求3所述的电介质陶瓷组合物构成的电介质层。
5.电子部件的制造方法，该方法包括：
用含有权利要求1所述的六方晶系钛酸钡粉末的电介质糊料形成电介质糊料层的工序；和
对所述电介质糊料层进行烧成的工序。
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