[发明专利]带温控功能的APD-TIA同轴型光电组件及制造方法无效
申请号: | 201110309963.6 | 申请日: | 2011-10-13 |
公开(公告)号: | CN102412240A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
发明(设计)人: | 丁国庆;王志刚;李锟;胡长飞 | 申请(专利权)人: | 武汉华工正源光子技术有限公司 |
主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00;H01L21/50 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 刘淑敏 |
地址: | 430223 湖北省武汉市东湖高*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 温控 功能 apd tia 同轴 光电 组件 制造 方法 | ||
1.一种带温控功能的雪崩倍增型光电二极管APD-跨阻抗前置放大器TIA同轴型光电组件,其特征在于,该光电组件主要包括8+1引脚的TO56基座、热电制冷器TEC、AlN陶瓷电路基板、雪崩光电二极管APD、跨阻抗放大器TIA、RC滤波组件、热敏电阻、第一滤波电容、第二滤波电容;其中,所述TEC贴在所述同轴型TO56基座的上表面作为第一层;所述TEC的上表面紧贴AIN陶瓷电路基板作为第二层;在所述AIN陶瓷电路基板的表面由ADP、TIA、热敏电阻、RC滤波组件、第一滤波电容和第二滤波电容构成第三层。
2.如权利要求1所述的带温控功能的APD-TIA 同轴型光电组件, 其特征在于,所述光电组件进一步包括位于所述第三层的带非球面透镜的管帽。
3.如权利要求1所述的带温控功能的APD-TIA 同轴型光电组件, 其特征在于,所述同轴型TO56基座的8+1引脚中,其中6条引脚与所述基座底座平面垂直,并分别为所述TEC、APD、TIA、热敏电阻供电,另外2条作为该APD-TIA光电组件的射频输出引脚,+1引脚为TO外壳接地脚。
4.如权利要求1所述的带温控功能的APD-TIA 同轴型光电组件, 其特征在于,所述同轴型TO56基座上设有由TEC、热敏电阻以及外围电路组成的控制电路。
5.如权利要求1所述的带温控功能的APD-TIA 同轴型光电组件, 其特征在于,所述基座下表面刻挖成凹凸型,并进行外围发黑处理。
6.如权利要求1所述的带温控功能的APD-TIA 同轴型光电组件, 其特征在于,所述TEC的制冷面上装有AlN陶瓷电路基板。
7.如权利要求1所述的带温控功能的APD-TIA 同轴型光电组件, 其特征在于,所述陶瓷基板上进一步装有电路过渡块。
8.如权利要求6或7所述的带温控功能的APD-TIA 同轴型光电组件, 其特征在于,所述陶瓷基板上布设有APD 管芯、TIA集成电路、热敏电阻、滤波组件的放置区域,还制作有供电线、信号线、微带传输线和地线。
9.如权利要求1或6所述的带温控功能的APD-TIA 同轴型光电组件,其特征在于,所述AlN陶瓷电路基板上还设置有APD管芯中心定位的对准标记,用于管芯中心与管帽中非球透镜中心轴线对准。
10.一种带温控功能的APD-TIA 同轴光电组件的制造方法, 其特征在于,包括如下步骤:
A、在摄氏280℃的条件下,采用金锡(AuSn)焊料,将TEC真空烧结在具有8+1管脚的TO56基座上;
B、在摄氏139℃的条件下,采用铋锡(BiSn)共晶焊将AlN陶瓷电路基板固定在TEC的制冷面上,并在该基板上焊接电路过渡块;
C、根据所述AlN陶瓷电路基板上设置的APD管芯中心定位的对准标记,采用导电胶将APD管芯安装在AlN陶瓷电路基板上规定位置,并在干燥的氮气中,置于85℃温度下烘烤2小时,然后进行直流特性测试;并采用同样方法,将TIA、热敏电阻、第一滤波电容、第二滤波电容安装在所述AlN陶瓷电路基板上规定位置,并进行高温固化,然后作必要的电性能测试;
D、最后,采用金丝热压焊将上述部件与该光电组件的引脚连接起来。
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