[发明专利]低温键合制备铜-陶瓷基板方法有效
| 申请号： | 201110310122.7 | 申请日： | 2011-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102339758A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 陈明祥 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低温 制备 陶瓷 方法 | ||
1.一种低温键合制备铜-陶瓷基板方法，首先将铜合金片选择性腐蚀得到含多孔纳米结构的铜片，然后在保护气氛作用下，将铜片热压键合到沉积有金属薄膜的陶瓷片上，得到单面或双面含铜层的金属化陶瓷基板，热压键合温度为200-400℃，压力为1.0-20.0MPa，最后通过图形腐蚀工艺制备出含金属线路的铜-陶瓷基板。
2.如权利要求1所述的一种低温键合制备铜-陶瓷基板方法，其特征在于，所述多孔纳米结构的孔洞尺寸为1nm-100nm，优选值为5nm-30nm。
3.如权利要求1所述的一种低温键合制备铜-陶瓷基板方法，其特征在于，所述铜合金片厚度为0.1-3.0mm，优选值为0.5-1.5mm。
4.如权利要求1所述的一种低温键合制备铜-陶瓷基板方法，其特征在于，所述铜合金片为铜锰合金、铜锌合金、铜铝合金、铜镁合金、铜锆合金或铜镍镁合金。
5.如权利要求1至4中任一所述的一种低温键合制备铜-陶瓷基板方法，其特征在于，所述铜合金片中铜的质量百分比为10％-50％。
6.如权利要求1至4中任一所述的一种低温键合制备铜-陶瓷基板方法，其特征在于，选择性腐蚀所使用的溶液为NaOH溶液、HCl溶液、H2SO4溶液或HNO3溶液。
7.如权利要求1至4中任一所述的一种低温键合制备铜-陶瓷基板方法，其特征在于，所述热压键合气氛为在键合腔内通入乙酸气体和/或氮气。
8.如权利要求1至4中任一所述的一种低温键合制备铜-陶瓷基板方法，其特征在于，所述金属薄膜为溅射方式沉积的金属钛和铜薄膜。
9.如权利要求1至4中任一所述的一种低温键合制备铜-陶瓷基板方法，其特征在于，所述陶瓷片为氧化铝、氮化铝、氧化铍或碳化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
