[发明专利]高效率控制的整合式逆变器装置及其操作方法无效
申请号: | 201110310169.3 | 申请日: | 2011-10-13 |
公开(公告)号: | CN103051222A | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | 赖渊芳;张瑛淞 | 申请(专利权)人: | 台达电子工业股份有限公司 |
主分类号: | H02M7/48 | 分类号: | H02M7/48;H02M7/537 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 冯志云;郑特强 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高效率 控制 整合 逆变器 装置 及其 操作方法 | ||
1.一种高效率控制的整合式逆变器装置,包含:
至少两个逆变器单元,所述逆变器单元彼此电性并联连接,其中至少一个逆变器单元包含多个场效晶体管开关,并且至少另一个逆变器单元包含多个绝缘栅极晶体管开关;及
一控制器单元,电性连接所述逆变器单元,并且根据所述逆变器单元于不同操作状态下,取得该整合式逆变器装置的最高输出效率数据,以对所对应的所述逆变器单元的所述晶体管开关提供控制。
2.如权利要求1所述的高效率控制的整合式逆变器装置,其中所述逆变器单元为一第一逆变器单元与一第二逆变器单元;当该整合式逆变器装置的最高输出效率发生于该第一逆变器单元单独操作时,该控制器单元控制该第一逆变器单元的所述晶体管开关动作;当该整合式逆变器装置的最高输出效率发生于该第二逆变器单元单独操作时,该控制器单元控制该第二逆变器单元的所述晶体管开关动作。
3.如权利要求1的高效率控制的整合式逆变器装置,其中所述逆变器单元为一第一逆变器单元与一第二逆变器单元;当该整合式逆变器装置的最高输出效率发生于该第一逆变器单元与该第二逆变器单元整体操作时,该控制器单元控制该第一逆变器单元的所述晶体管开关与该第二逆变器单元的所述晶体管开关动作。
4.如权利要求1所述的高效率控制的整合式逆变器装置,其中所述逆变器单元为一第一逆变器单元、一第二逆变器单元以及一第三逆变器单元;当该整合式逆变器装置的最高输出效率发生于该第一逆变器单元与该第二逆变器单元组合操作时,该控制器单元控制该第一逆变器单元的所述晶体管开关与该第二逆变器单元的所述晶体管开关动作;当该整合式逆变器装置的最高输出效率发生于该第二逆变器单元与该第三逆变器单元组合操作时,该控制器单元控制该第二逆变器单元的所述晶体管开关与该第三逆变器单元的所述晶体管开关动作;当该整合式逆变器装置的最高输出效率发生于该第一逆变器单元与该第三逆变器单元组合操作时,该控制器单元控制该第一逆变器单元的所述晶体管开关与该第三逆变器单元的所述晶体管开关动作。
5.如权利要求1所述的高效率控制的整合式逆变器装置,其中由所述场效晶体管开关所组成该逆变器单元的切换频率,为由所述绝缘栅极晶体管开关所组成该逆变器单元的切换频率的整数倍,以达到交错式开关控制。
6.如权利要求1所述的高效率控制的整合式逆变器装置,其中所述场效晶体管开关为结型场效晶体管或金属氧化物半导体场效晶体管。
7.如权利要求1所述的高效率控制的整合式逆变器装置,其中该整合式逆变器装置更包含:
一输出电流感测单元,电性连接该整合式逆变器装置的一输出侧,以感测该整合式逆变器装置的一输出电流大小;
一输出电压感测单元,电性连接该整合式逆变器装置的一输出侧,以感测该整合式逆变器装置的一输出电压大小;
一输入电流感测单元,电性连接该整合式逆变器装置的一输入侧,以感测该整合式逆变器装置的一输入电流大小;
一输入电压感测单元,电性连接该整合式逆变器装置的一输入侧,以感测该整合式逆变器装置的一输入电压大小;及
一计算单元,电性连接该输出电流感测单元、该输出电压感测单元、该输入电流感测单元以及该输入电压感测单元,分别接收该整合式逆变器装置的该输出电流、该输出电压、该输入电流以及该输入电压,以计算当所述逆变器单元于不同操作状态下,该整合式逆变器装置的输出效率数据。
8.如权利要求7所述的高效率控制的整合式逆变器装置,其中该整合式逆变器装置的效率为该输出电流与该输出电压乘积所得的一输出功率与该输入电流与该输入电压乘积所得的一输入功率的比值。
9.如权利要求1所述的高效率控制的整合式逆变器装置,其中该整合式逆变器装置更包含:
一储存单元,以查表方式储存当所述逆变器单元于不同操作状态下,该整合式逆变器装置的输出效率数据。
10.如权利要求1所述的高效率控制的整合式逆变器装置,其中每一该场效晶体管开关内含一快速回复二极管,以减少该场效晶体管开关的切换损失。
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