[发明专利]抑制IGBT过电流的驱动电路

权利要求书

1.一种抑制IGBT过电流的驱动电路，其特征在于，包括：隔离驱动电路、降栅压钳位电路、推挽放大电路、报警输出电路、以及过电压检测电路，其中，隔离驱动电路的输出端、降栅压钳位电路的第一输出端与推挽放大电路的输入端连接，推挽放大电路的输出端与IGBT驱动回路连接，过电压检测电路的输入端与IGBT驱动回路连接、输出端与降栅压钳位电路的输入端连接，降栅压钳位电路的第二输出端与报警输出电路的输入端连接。

2.根据权利要求1所述的抑制IGBT过电流的驱动电路，其特征在于，所述隔离驱动电路包括： TLP光电耦合器U1、电阻R1、电容C1以及二极管D1，电容C1连接在TLP光电耦合器U1的8脚与5脚之间，TLP光电耦合器U1的7脚与6脚相接后与电阻R1以及二极管D1的负极连接，电阻R1的另一端与二极管D1的正极相连接。

3.根据权利要求1所述的抑制IGBT过电流的驱动电路，其特征在于，所述降栅压钳位电路包括三极管Q1、三极管Q2、二极管D2、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R9及微分电容C4，三极管Q1的集电极接电阻R4后与二极管D2的负极、电阻R5以及电容C4连接，电阻R5、电容C4的另一端接入正电源，三极管Q1的基极与过电压检测电路连接，三极管Q1的发射极接负电源，三极管Q2的集电极接电阻R9后接入负电源，三极管Q2的基极与二极管D2的正极连接，三极管Q2的发射极与电阻R6及推挽放大电路连接。

4.根据权利要求3所述的抑制IGBT过电流的驱动电路，其特征在于，还包括：

连接于三极管Q1的基极与发射极之间的电阻R3；

和/或

连接于三极管Q1的基极与三极管Q1的发射极之间的电容C3。

5.根据权利要求3或4所述的抑制IGBT过电流的驱动电路，其特征在于，还包括电阻R7、电容C5，电阻R7与电容C5并联后，一端与三极管Q2的基极连接，一端接入负电源。

6.根据权利要求1所述的抑制IGBT过电流的驱动电路，其特征在于，所述报警输出电路包括依次串联的电阻R8、光电耦合器U2、稳压二极管DZ2，稳压二极管DZ2的正极与光电耦合器U2连接，光电耦合器U2的负极接入正电源。

7.根据权利要求1所述的抑制IGBT过电流的驱动电路，其特征在于，所述过电压检测电路包括高压二极管D3、高压二极管D4、电阻R2、电容C2、稳压二极管DZ1，高压二极管D4的负极与IGBT连接、正极与高压二极管D3的负极连接，高压二极管D3的正极通过电阻R2与电容C2、稳压二极管DZ1的负极连接，稳压二极管DZ1的正极以及电容C2的另一端与降栅压钳位电路连接。

8.根据权利要求1所述的抑制IGBT过电流的驱动电路，其特征在于，该抑制IGBT过电流的驱动电路包括TLP光电耦合器U1，光电耦合器U2，电阻R1、R2、R4、R5、R6、R8、R9，二极管D1、D2，高压二极管D3、D4，稳压二极管DZ1、DZ2，三极管Q1、Q2、Q3、Q4，电容C1、C2、C4，TLP光电耦合器U1的8脚、电容C1、电阻R5、电容C4、稳压二极管DZ2的负极以及三极管Q4的集电极接入正电源，TLP光电耦合器U1的7脚、6脚相接后与电阻R1、二极管D1的负极连接，并通过电阻R6与三极管Q2的发射极、三极管Q3的基极、三极管Q4的基极连接，电阻R1的另一端、二极管D1的正极与电阻R2、稳压二极管DZ1的负极以及电容C2连接，电阻R2的另一端与高压二极管D3的正极连接，高压二极管D3的负极与高压二极管D4的正极连接，高压二极管D4的负极与IGBT的集电极连接，稳压二极管DZ1的正极与三极管Q1的基极连接，三极管Q1的集电极通过电阻R4与二极管D2的负极、电阻R5的另一端、电容C4的另一端以及电阻R8连接，电阻R8的另一端通过光电耦合器U2与稳压二极管DZ2的正极连接，二极管D2的正极与三极管Q2的基极连接，三极管Q2的集电极与电阻R9连接，TLP光电耦合器U1的5脚、电容C1的另一端、电容C2的另一端、三极管Q1的发射极、电阻R9的另一端、三极管Q3的集电极接入负电源，三极管Q3的发射极与三极管Q4的发射极连接。

9.根据权利要求8所述的的抑制IGBT的驱动电路，其特征在于：还包括电阻R3、电阻R7、电容C3、电容C5中的任意一个或者任意组合，电阻R3连接于三极管Q1的基极与发射极之间，电阻R7连接于三极管Q3的基极与集电极之间，电容C3连接于三极管Q1的基极与发射极之间，电容C5连接于三极管Q3的基极与集电极之间。