[发明专利]一种基于PDMS的三维单细胞培养芯片及其可控制备方法

权利要求书

1.一种基于PDMS的三维单细胞培养芯片，包含阵列分布的腔体(1)，各相邻腔体(1)之间有微沟槽(3)相连接，微沟槽(3)深度与腔体(1)高度一致，腔体(1)底部包含纳米突起；腔体(1)最大内切圆直径满足：其中，是待培养细胞(2)的平均直径；腔体(1)高度h满足：0.5h₀≤h≤2h₀，其中，h₀是待培养细胞(2)的高度平均值；相邻两个腔体(1)间的距离l满足：当应用于细胞接触性连接研究时，当应用于细胞非接触性连接研究时，其中，l₀是待培养细胞(2)突触长度的平均值；所述微沟槽(3)呈90°均匀分布，微沟槽(3)宽度a满足：0.5μm ≤a≤10μm。

2.所述基于PDMS的三维单细胞培养芯片的制备方法，采用MEMS技术和复制模塑技术完成，具体包括如下步骤：

步骤一：按质量或体积比为10∶1混合PDMS预聚体和交联剂，充分搅拌均匀后，放入真空干燥箱中脱气，直至混合过程中产生的气泡完全排除；

步骤二：将PDMS浇注在硅模板上，并静置；所述硅模板包含立柱阵列，立柱最大外接圆直径满足：高度h满足：0.5h₀≤h≤2h₀，相邻两个立柱间的距离l满足：当应用于细胞接触性连接研究时，当应用于细胞非接触性连接研究时，立柱间有呈90°均匀分布的梁连接，梁宽度a满足：0.5μm≤a≤10μm，在立柱顶部有不规则纳米突起；

步骤三：将浇注PDMS后的硅模板置于真空干燥箱中，使PDMS发生交联反应而固化；

步骤四：将冷却后的PDMS剥下，得到所述基于PDMS的三维单细胞培养芯片。