[发明专利]一种采用SiGe HBT工艺的寄生PNP器件结构及其制作方法

权利要求书

1.一种采用SiGe HBT工艺的寄生PNP器件结构的制作方法，其特征是，包括以下步骤：

(1)在P型衬底刻蚀浅沟槽作隔离；

(2)在浅槽底部注入硼离子经过热处理后形成N型赝埋层；

(3)在浅槽底部注入磷离子经过热处理后形成P型赝埋层；

(4)在P型衬底进行集电区注入；

(5)在集电区上方形成外延层；

(6)自外延层通过接触孔引出发射极，自N型赝埋层通过深接触孔引出基极，自P型赝埋层通过深接触孔引出集电极。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征是：步骤(2)中，注入剂量为1¹⁴cm^-2至1¹⁶cm^-2，能量小于15keV的磷离子。

3.如权利要求1所述的制作方法，其特征是：步骤(3)中，注入剂量为1¹⁴cm^-2至1¹⁶cm^-2，能量小于15keV的硼或者氟化硼。

4.如权利要求1所述的制作方法，其特征是：步骤(4)中，注入剂量为5e11至5e13，能量为50kev至500kev的磷或砷。

5.一种采用SiGe HBT工艺的寄生PNP器件结构，包括P型衬底，P型衬底上形成有集电区，所述集电区上形成有外延层，发射极通过接触孔自外延层引出，其特征是：

所述P型衬底上部具有N型赝埋层连接所述集电区，自N型赝埋层通过深接触孔引出基极；所述P型衬底上部具有P型赝埋层，自P型赝埋层通过深接触孔引出集电极。

6.如权利要求5所述的器件结构，其特征是：所述P型赝埋层注入硼或者氟化硼。

7.如权利要求5所述的器件结构，其特征是：所述N型赝埋层注入磷。

8.如权利要求5所述的器件结构，其特征是：集电区注入为磷或砷。

9.如权利要求5所述的器件结构，其特征是：所述外延层注入为硼或氟化硼。