[发明专利]一种锥形多层脊波导的制作方法

权利要求书

1.一种锥形多层脊波导的制作方法，所述脊波导包括耦合段和压缩端，包括以下步骤：

步骤1：采用等离子体刻蚀工艺，在起始硅片表面上进行刻蚀。即根据第一掩膜图形去除硅片表面的一部分物质，所述第一掩膜图形线宽从脊波导耦合端到压缩端逐渐变大，利用等离子体刻蚀中的微负载效应，形成深度沿波导耦合端到压缩端逐渐变大的若干硅槽和位于硅槽之间的硅台面；

步骤2：用填充物填充步骤1中所述硅槽，并对所述硅片表面进行平坦化；

步骤3：根据第二掩膜图形去除硅片表面的另一部分物质，所述第二掩膜图形线宽从脊波导耦合端到压缩端逐渐变大，利用等离子体刻蚀中的微负载效应，再次得到深度沿波导耦合端到压缩端逐渐变大的硅槽，所述硅槽紧靠步骤1中形成的硅槽；

步骤4：用填充物填充步骤3中所述硅槽，并对所述硅片表面进行平坦化；

步骤5：根据第三掩膜图形深刻蚀去除硅片表面的第三部分物质，定义出脊波导的目标器件区域。所述第三掩膜图形线宽从脊波导耦合端到压缩端相等，得到刻蚀深度相等的硅槽，所述硅槽紧靠步骤3中形成的硅槽；

步骤6：去除残留的填充物，然后对已成型的锥形多层硅脊波导覆盖涂层。

2.根据权利要求1所述的锥形多层脊波导的制作方法，其特征在于，所述脊波导各层台阶的刻蚀深度由刻蚀掩膜图形线宽最大处的刻蚀深度定义。

3.根据权利要求1所述的锥形多层脊波导的制作方法，其特征在于，在实施所述平坦化前，所述硅槽填充后的上表面高度不低于硅台面的上表面高度。

4.根据权利要求1所述的锥形多层脊波导的制作方法，其特征在于，还包括在对所述硅片表面加工成形后，在所述硅片上覆盖涂层。其中，所述涂层为二氧化硅或氮化硅。