[发明专利]发光二极管芯片的制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，包括：

提供外延生长所需的绝缘衬底，所述绝缘衬底具有相对的正面和背面；所述绝缘衬底的正面定义有若干个图形单元，每一个图形单元被划分为若干个图形区块，相邻所述图形单元之间具有第一走道，所述图形单元中的相邻所述图形区块之间具有第二走道；

对应于所述第一走道，对第一走道进行激光内划；

在所述第一走道和所述第二走道上刻蚀出沟槽；

在所述绝缘衬底上形成发光外延结构；

在所述发光外延结构上制备N电极和P电极；

对所述绝缘衬底的背面进行减薄处理；

对应于所述第一走道，在减薄后的所述绝缘衬底的背面进行激光内划；

沿着所述第一走道进行裂片处理而得到LED芯片。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述图形单元的形状包括平行四边形、菱形、矩形或正方形。

3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，每一个所述图形单元中的若干个所述图形区块呈对称设置。

4.根据权利要求3所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述图形区块的形状包括三角形、平行四边形、菱形、六边形或正六边形。

5.根据权利要求1、2、3或4所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述图形单元中的相邻所述图形区块之间的相邻所述第二走道之间留有缺口。

6.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，在所述第一走道和所述第二走道上刻蚀出沟槽采用的是湿法腐蚀工艺。

7.根据权利要求1或6所述的发光二极管芯片的方法，其特征在于，所述沟槽为V型。

8.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，对所述第一走道进行激光内划的深度距离所述绝缘衬底的正面的范围为20微米至100微米。

9.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，减薄后的背面的激光内划的深度距离所述绝缘衬底的背面的范围为10微米至100微米。