[发明专利]一种硅片预清洗工艺

权利要求书

1.一种硅片预清洗工艺，其特征在于：包括以下步骤：

浸润处理，将硅片放入浸润液中，将浸润液加热至55~75℃，浸润200~600s；其中，浸润液中包括占其总体积2~6%的异丙醇和占其总体积2~8‰的表面活性剂；

一次冲洗，使用去离子水对浸润完成后的硅片进行冲洗，冲洗时间为100~300s，其中，去离子水的温度为40~70℃；

氧化处理，将一次冲洗后的硅片放入氧化液中，将氧化液加热至50~59℃，氧化200~500s，其中，氧化液为弱碱性溶液；

二次冲洗，使用去离子水对氧化处理后的硅片进行冲洗，冲洗时间为100~300s，其中，去离子水的温度为40~70℃。

2.根据权利要求1所述硅片预清洗工艺，其特征在于：步骤a中，所述表面活性剂包括有占其质量0．001%～3%的葡萄糖、葡萄糖酸钠或葡萄糖酸钾，100ppb～8000ppb的聚氧乙烯醚，0．001%～2%的乳酸钠或柠檬酸钠，0．001%～2%的丙二醇，0．01%～6%的硅酸钠，0．001%～2%的碳酸钠或碳酸氢钠，其余为水。

3.根据权利要求1所述硅片预清洗工艺，其特征在于：步骤c中，所述氧化液中包括有占其总体积2~5%的氨水、占其总体积3~8%的过氧化氢。

4.根据权利要求1所述硅片预清洗工艺，其特征在于：浸润时浸润液中设置并开启有超声装置，所述超声装置的超声波频率为20~30KHZ。

5.根据权利要求1所述硅片预清洗工艺，其特征在于：浸润时浸润液中设置并开启有超声装置，所述超声装置的超声波的频率为30~40KHZ。

6.根据权利要求1所述硅片预清洗工艺，其特征在于：步骤a中，初始浸润液配制200~300L，每清洗2000片硅片，在浸润液中补加异丙醇2~10L，补加添加剂30~100ml。