[发明专利]原子层级的等离子体刻蚀方法有效
| 申请号： | 201110315395.0 | 申请日： | 2011-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN103050393A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华;隋运奇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 原子 层级 等离子体 刻蚀 方法 | ||
1.一种原子层级的等离子体刻蚀方法，其特征在于，包括：
提供单一元素的半导体衬底；
通入刻蚀反应气体，等离子化后进行反应，所述刻蚀反应气体与所述半导体衬底的表层原子发生反应后生成化合物，所述刻蚀气体引入的原子与所述半导体衬底的表层原子的结合使得所述半导体衬底的表层原子与次层的原子的结合力降低，以至低于所述刻蚀气体引入的原子与所述半导体衬底的表层原子的结合力；
采用溶液溶解所述刻蚀反应气体与所述半导体衬底的表层原子发生反应后所生成的化合物，得到被剥去一层原子的半导体衬底。
2.根据权利要求1所述的原子层级的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述半导体衬底的材质为硅。
3.根据权利要求1所述的原子层级的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述半导体衬底的材质为锗。
4.根据权利要求2所述的原子层级的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀反应气体为Cl2、CF2或CF4中的至少一种。
5.根据权利要求2或4所述的原子层级的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述溶液为HPO3/H2O、CHCl3、C6H6中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的原子层级的等离子体刻蚀方法，其特征在于，采用溶液溶解所述刻蚀反应气体与所述半导体衬底的表层原子发生反应后所生成的化合物步骤中，使用超声波震荡。
7.根据权利要求6所述的原子层级的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述超声波频率为50～120kHz。
8.根据权利要求1所述的原子层级的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述溶液无法剥离所述半导体衬底未与所述刻蚀反应气体发生反应的次层原子。
9.根据权利要求1所述的原子层级的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法进行多次。
10.根据权利要求1所述的原子层级的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述得到被剥去一层原子的半导体衬底步骤后，还进行对所述半导体衬底清洗的步骤。
11.根据权利要求10所述的原子层级的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述清洗步骤采用去离子水清洗。
12.根据权利要求1所述的原子层级的等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述半导体衬底上形成有器件，所述刻蚀过程中，所述器件采用硬掩膜遮挡。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
