[发明专利]一种具有大磁电阻效应的p-Si基异质结构的制备方法

权利要求书

1.一种具有大磁电阻效应的p-Si基异质结构的制备方法本专利操作，其特征在于步骤如下：

1)在对向靶磁控溅射镀膜机的靶头上安装一对石墨靶，在石墨靶上均匀固定Ni片；

2)将带有自然氧化层的p型Si片的玻璃基底表面杂质清除后，安装在样品架上，安装位置在对向靶连线的中垂线上；

3)开启磁控溅射镀膜机，先后启动一级机械泵和二级分子泵抽真空，直至溅射室的背底真空度为2×10^–4 Pa；

4)向真空室通入N₂和Ar的混合气体，使得真空室中的真空度保持在1 Pa；

5)开启溅射直流电源，在一对石墨靶上施加电流和电压，预溅射15分钟，等溅射电流和电压稳定；

6)打开基片架上的挡板开始溅射，基片位置固定，在p型Si基片上生长Ni-CN复合薄膜，从而形成Ni-CN/p-Si异质结构；

7)生长薄膜30分钟后，关闭基片架上的挡板，然后关闭溅射电源，停止通入溅射气体Ar和N₂，继续抽真空半小时后关闭真空系统，待系统冷却至室温后向真空室充入纯度为99.999%的氮气，直到真空室的气压与外面大气压相同时，打开真空室即可取出制得的Ni-CN/p-Si异质结构样品。

2.根据权利要求1所述具有大磁电阻效应的p-Si基异质结构的制备方法本专利操作，其特征在于：所述石墨靶的纯度为99.99%，靶材的直径为100 mm、厚度为6 mm；Ni片的纯度为99.99%、面积为0.5 cm²，放置数量为9片。

3.根据权利要求1所述具有大磁电阻效应的p-Si基异质结构的制备方法本专利操作，其特征在于：所述N₂和Ar混合气体中N₂和Ar的纯度均为99.999%；氮气分压为4%。

4.根据权利要求1所述具有大磁电阻效应的p-Si基异质结构的制备方法本专利操作，其特征在于：所述溅射直流电源在石墨靶上施加0.2 A的电流和1100 V的直流电压。