[发明专利]发光二极管有效
| 申请号： | 201110315868.7 | 申请日： | 2011-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN102487115A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 吴志凌 | 申请（专利权）人： | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人： | 张雅军;顾以中 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
1.一种发光二极管，包含一块具有一个顶面，及多个形成在该顶面的凸部的图案化基板、一层位于该图案化基板的顶面的发光结构、一层设于该发光结构上的透明导电层，及一组具有两块彼此配合提供外部电能至该发光结构的电极的电极单元；其特征在于：
该透明导电层具有一个包括多个凹槽的构形化表面，该图案化基板的凸部相对于该透明导电层的投影范围与所述凹槽部分地重叠。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该图案化基板与该透明导电层相配合能够使来自该发光结构的部分光实质集中地朝该顶面方向发射至外界。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该图案化基板的凸部相对于透明导电层的投影范围中有50％以上与凹槽重叠。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该图案化基板的凸部具有规则的排列周期，该排列周期为1.5微米～6.5微米。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该凸部的高度是0.5微米～2.5微米。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该凸部是径长渐向上渐缩的炮弹型凸部。
7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该凸部的最大宽度是1微米～3.5微米。
8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该相邻的凸部的平均间距是0.5微米～3微米。
9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该构形化表面的凹槽具有规则的排列周期，该排列周期为3微米～9微米。
10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该相邻的凹槽的平均间距是0.5微米～4微米。
11.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该凹槽的深度范围是0.1微米～0.5微米。
12.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该凹槽的宽度范围是2微米～6微米。
13.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该凹槽的宽度是该凸部宽度的0.8～4倍。
14.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述的发光二极管还包含一层绝缘层，位于该透明导电层上，该绝缘层具有粗化的表面。
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