[发明专利]固体电解电容器制备方法与应用有效
申请号: | 201110316148.2 | 申请日: | 2011-10-18 |
公开(公告)号: | CN103065801A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 谈斌;丁晓鸿;尹明清 | 申请(专利权)人: | 深圳振华富电子有限公司 |
主分类号: | H01G9/15 | 分类号: | H01G9/15 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 518109 广东省深圳市宝安*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 电解电容器 制备 方法 应用 | ||
技术领域
本发明属于电容制备技术领域,尤其涉及一种固体电解电容器制备方法与应用。
背景技术
随着电子设备对高频特性、安全环保、应用环境、长期可靠性的要求越来越高,传统的液态电解电容难以满足其相关要求。为了解决传统电解电容器的不足,使用导电率更高的固体导电物质代替传统电解液,包括二氧化锰、TCNQ有机半导体盐、导电高分子,如PAN、PPY、PEDT等具备共轭π结构的有机聚合物。
导电性高分子的单体材料主要有苯胺、吡咯、噻吩、乙撑二氧噻吩及其衍生物。氧化剂主要有氯化铁、过硫化物、高锰酸钾、双氧水、对甲基苯磺酸铁等。因对甲基苯磺酸铁优异的氧化性能及掺杂特性,能获得高导电率的聚合物,而得到广泛应用。但根据化学计量比可知,反映过程中,将会有大量未掺杂或游离的磺酸根离子残留在导电高分子层内,对铝箔形成严重腐蚀,同时容易吸潮,导致所制得的电容器性能下降。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种固体电解电容器制备方法,解决现有技术所制备的固体电解电容器中磺酸根离子残留在导电高分子层内,对电容器性能造成影响的技术问题。
本发明是这样实现的,
一种固体电解电容器制备方法,包括如下步骤:
制备固体电解电容器第一芯包;
将该固体电解电容器第一芯包放入化成液中化成处理,得到固体电解电容器第二芯包;
将该固体电解电容器第二芯包进行温度为240~350℃的热处理,得到固体电解电容器第三芯包,将该固体电解电容器第三芯包放入补形成液中进行补形成处理,得到固体电解电容器第四芯包;
将该固体电解电容器第四芯包用含活性剂的溶液和含保护剂的溶液浸渍,在温度为60~200℃条件下烘烤,得到固体电解电容器第五芯包;
将该固体电解电容器第五芯包用有机单体和氧化剂浸渍,在温度为40~200℃条件下反应30分钟~8小时,得到固体电解电容器前体;
将该固体电解电容器前体封装、老化处理后得到固体电解电容器。
以及,
上述固体电解电容器制备方法所制备得到的固体电解电容器在多媒体设备、开关电源、DC-DC转换器或计算机中的应用。
本发明固体电解电容器制备方法,通过使用活性剂和保护剂进行浸渍,增加有机单体、氧化剂在芯包内的化学原位反应接触面,提高掺杂度,减少游离的磺酸根离子;并且提高铝箔皮膜的稳定性,减弱导电层的酸性环境。降低产品的ESR、漏电流,尤其是高温高湿环境的稳定性。
附图说明
图1是本发明实施例固体电解电容器制备方法流程图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
请参阅图1,图1显示本发明实施例固体电解电容器制备方法流程图,包括如下步骤:
步骤S01,制备固体电解电容器第一芯包;
步骤S02,制备固体电解电容器第二芯包
将该固体电解电容器第一芯包放入化成液中化成处理,得到固体电解电容器第二芯包;
步骤S03,制备固体电解电容器第三芯包和第四芯包:
将该固体电解电容器第二芯包进行温度为240~350℃的热处理,得到固体电解电容器第三芯包,将该固体电解电容器第三芯包放入补形成液中进行补形成处理,得到固体电解电容器第四芯包;
步骤S04,制备固体电解电容器第五芯包:
将该固体电解电容器第四芯包用含活性剂的溶液和含保护剂的溶液浸渍,在温度为60~200℃条件下烘烤,得到固体电解电容器第五芯包;
步骤S05,制备固体电解电容器前体:
将该固体电解电容器第五芯包用有机单体和氧化剂浸渍,在温度为40~200℃条件下反应30分钟~8小时,得到固体电解电容器前体;
步骤S06,制备固体电解电容器:
将该固体电解电容器前体封装、老化处理后得到固体电解电容器。
具体地,步骤S01中,制备固体电解电容器第一芯包,步骤为:
在阳极箔与阴极箔中间间隔电解纸,交叠卷绕成芯包;所述阳极箔和阴极箔由表面含有氧化膜的阀金属制成。该阀金属为铝、镁、铌、钽或钛,该氧化膜三氧化二铝、氧化镁、氧化铌、五氧化二钽、氧化钛。
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