[发明专利]背面照射型固体拍摄装置及其制造方法

权利要求书

1.一种背面照射型固体拍摄装置，包括：

半导体基板，其具有第1导电型；

阱区域，其配置在上述半导体基板的表面侧，且具有第1导电型；

多个光电二极管，其配置在上述阱区域内，且具有第2导电型；

扩散层，其配置在上述多个光电二极管之间，并向上述阱区域提供电位，且具有第1导电型；

溢漏层，其配置在上述半导体基板的背面侧，且具有第2导电型；

溢漏电极，其从上述半导体基板的表面侧延伸至上述溢漏层，从上述半导体基板的表面侧向上述溢漏层提供偏置电位；以及

布线层，其配置在上述半导体基板的表面上。

2.权利要求1所述的装置，还包括：

在上述半导体基板的背面上配置的遮光膜、滤色器及微透镜。

3.权利要求1所述的装置，还包括：

对准标记，其从上述半导体基板的表面侧延伸至上述溢漏层，

其中，上述溢漏电极具有与上述对准标记相同的构造。

4.权利要求1所述的装置，还包括：

上述半导体基板内的沟；以及

覆盖上述沟的内面的绝缘层，

其中，上述溢漏电极具有填满上述沟的导电性硅层。

5.权利要求1所述的装置，其中，

上述溢漏电极在包含上述阱区域的像素区域内配置在上述多个光电二极管之间。

6.权利要求1所述的装置，其中，

上述溢漏电极配置在不包含上述阱区域的周边电路区域内。

7.权利要求1所述的装置，其中，

上述溢漏层配置在上述半导体基板的整个背面，其厚度为0.05μm～0.3μm。

8.权利要求1所述的装置，还包括：

扩散层，其向上述半导体基板提供电位，且具有第1导电型。

9.一种制造权利要求1的装置的方法，包括：

通过在上述半导体基板的背面上沉积具有比上述半导体基板高的杂质浓度的导电性硅层，形成上述溢漏层；

通过在上述半导体基板形成了沟之后在上述沟内填满导电层，与对准标记同时形成上述溢漏电极；以及

在形成了上述溢漏层及上述溢漏电极之后，形成上述多个光电二极管及上述扩散层。

10.权利要求9所述的方法，还包括：

通过使用上述对准标记执行对准，在上述半导体基板的背面上形成遮光膜、滤色器及微透镜。

11.一种背面照射型固体拍摄装置，包括：

半导体基板，其具有第1导电型；

阱区域，其配置在上述半导体基板的表面侧，且具有第2导电型；

多个光电二极管，其配置在上述阱区域内，且具有第1导电型；

扩散层，其配置在上述多个光电二极管之间，并向上述阱区域提供电位，且具有第2导电型；

溢漏层，其配置在上述半导体基板的背面侧，且具有第1导电型；

溢漏电极，其从上述半导体基板的表面侧延伸至上述溢漏层，从上述半导体基板的表面侧向上述溢漏层提供偏置电位；以及

布线层，其配置在上述半导体基板的表面上。

12.权利要求11所述的装置，还包括：

在上述半导体基板的背面上配置的遮光膜、滤色器及微透镜。

13.权利要求11所述的装置，还包括：

对准标记，其从上述半导体基板的表面侧延伸至上述溢漏层，

其中，上述溢漏电极具有与上述对准标记相同的构造。

14.权利要求11所述的装置，还包括：

上述半导体基板内的沟；以及

覆盖上述沟的内面的绝缘层，

其中，上述溢漏电极具有填满上述沟的导电性硅层。

15.权利要求11所述的装置，其中，

上述溢漏电极在包含上述阱区域的像素区域内配置在上述多个光电二极管之间。

16.权利要求11所述的装置，其中，

上述溢漏电极配置在不包含上述阱区域的周边电路区域内。

17.权利要求11所述的装置，其中，

上述溢漏层配置在上述半导体基板的整个背面，其厚度为0.05μm～0.3μm。