[发明专利]包含缩醛和缩酮作为溶剂的光刻胶组合物有效
申请号: | 201110317143.1 | 申请日: | 2003-03-28 |
公开(公告)号: | CN102520583A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | S·F·瓦纳特;R·R·普拉斯;J·E·奥伯兰德;D·麦肯齐 | 申请(专利权)人: | AZ电子材料日本株式会社 |
主分类号: | G03F7/004 | 分类号: | G03F7/004;G03F7/023;G03F7/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 宓霞 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包含 缩酮 作为 溶剂 光刻 组合 | ||
1.一种光刻胶组合物,其包含:a)至少一种选自线性酚醛清漆树脂和聚羟基苯乙烯的成膜树脂;b)至少一种光活性化合物或光酸产生剂;和c)包含至少一种选自缩醛和缩酮的溶剂的溶剂组合物,其中所述光刻胶组合物对100nm至450nm的辐射敏感,并且所述光刻胶组合物能够形成具有光刻胶膜厚度为10-90μm的光刻胶,并且选自缩醛和缩酮的溶剂的数量为6%至15%,基于光刻胶组合物的总重量。
2.权利要求1的光刻胶组合物,其中缩醛或缩酮是无环化合物。
3.权利要求1的光刻胶组合物,其中缩醛或缩酮是环状化合物。
4.权利要求2的光刻胶组合物,其中缩醛或缩酮由下式表示:
R3-O-(CR1R2)-O-R4
其中R1和R2独立地是氢,或具有1至10个碳原子的烃基;和R3和R4独立地是具有1至10个碳原子的烃基。
5.权利要求4的组合物,其中烃基是烷基。
6.权利要求3的光刻胶组合物,其中环状化合物是4-7元环化合物。
7.权利要求6的光刻胶组合物,其中环化合物由下式表示:
其中R1-R4独立地是氢,或具有1至10个碳原子的烃基,和n是1、2、3或4。
8.权利要求1的光刻胶组合物,其中溶剂组合物包含1,3-二氧戊环。
9.权利要求1的光刻胶组合物,其中溶剂组合物是1,3-二氧戊环和至少一种选自丙二醇甲基醚乙酸酯、乳酸乙酯和丙二醇甲基醚的溶剂的混合物。
10.权利要求1的光刻胶组合物,其中溶剂组合物包含至少一种选自二甲氧基甲烷和二乙氧基甲烷的化合物。
11.权利要求1的光刻胶组合物,其中光活性化合物是重氮萘醌磺酸酯。
12.一种光刻胶组合物,其包含碱溶性线性酚醛清漆树脂,包含重氮萘醌磺酸酯的光活性化合物,和1,3-二氧戊环。
13.权利要求1的光刻胶组合物,其是一种包含光酸产生剂的化学放大光刻胶组合物。
14.权利要求1的光刻胶组合物,其中光刻胶具有膜厚度为至少30μm。
15.权利要求1的光刻胶组合物,其中光刻胶具有膜厚度为至少50μm。
16.一种用于将光刻胶组合物成像的方法,其包括如下步骤:
a)用权利要求1的光刻胶组合物的膜涂覆基材;
b)烘烤基材以基本上去除溶剂;
c)成像式照射光刻胶膜;和
d)用合适的显影剂去除涂覆基材的成像式曝光或未曝光区域。
17.权利要求16的方法,其中光刻胶组合物的膜在步骤(b)之后具有膜厚度为至少30μm。
18.权利要求16的方法,其中光刻胶组合物的膜在步骤(b)之后具有膜厚度为至少50μm。
19.权利要求16的方法,其中基材是半导体晶片。
20.一种用于将光刻胶组合物成像的方法,其包括如下步骤:
a)用光刻胶组合物的膜涂覆基材,所述组合物包含线性酚醛清漆树脂,包含重氮萘醌磺酸酯的光活性化合物,和1,3-二氧戊环;
b)烘烤基材以基本上去除溶剂;
c)成像式照射光刻胶膜;和
d)用合适的显影剂去除涂覆基材的成像式曝光或未曝光区域。
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