[发明专利]与锗硅异质结NPN三极管集成的PNP三极管工艺实现方法

权利要求书

1.一种与锗硅异质结NPN三极管集成的PNP三极管工艺实现方法，其特征在于，包括如下步骤：

硅衬底分为形成NPN三极管的NPN区域和形成PNP三极管的PNP区域，在所述PNP区域的N型基区的掺杂注入完成后，采用刻蚀工艺对所述PNP区域的所述基区的硅表面进行处理，使所述PNP区域的所述基区的硅表面的晶格结构被破坏；

在所述NPN区域的N型集电区形成后，在所述NPN区域和所述PNP区域同时采用外延生长工艺形成锗硅层；所述锗硅层在所述PNP区域为多晶结构，多晶硅结构的所述锗硅层用于形成所述PNP三极管的发射区；所述锗硅层在所述NPN区域为单晶结构，单晶结构的所述锗硅层用于形成所述NPN三极管的基区。

2.如权利要求1所述的与锗硅异质结NPN三极管集成的PNP三极管工艺实现方法，其特征在于：对所述PNP区域的所述基区的硅表面进行刻蚀处理时，采用所述PNP区域的N型基区的掺杂注入时的光刻胶图形来选定刻蚀区域；所述刻蚀处理完毕后，再去除所述光刻胶图形。

3.如权利要求1所述的与锗硅异质结NPN三极管集成的PNP三极管工艺实现方法，其特征在于：对所述PNP区域的所述基区的硅表面进行刻蚀处理的工艺条件能够采用CMOS工艺中的侧墙刻蚀工艺、或者采用接触孔的刻蚀工艺。

4.如权利要求1所述的与锗硅异质结NPN三极管集成的PNP三极管工艺实现方法，其特征在于：在形成所述锗硅层时还包括碳掺杂的工艺。

5.如权利要求1所述的与锗硅异质结NPN三极管集成的PNP三极管工艺实现方法，其特征在于：还包括步骤，采用所述NPN三极管的外基区的离子注入工艺在所述PNP三极管的发射区的所述锗硅层和所述NPN三极管的外基区的所述锗硅层中同时进行离子注入。