[发明专利]相变存储器的读取分布管理有效
申请号: | 201110317448.2 | 申请日: | 2011-10-12 |
公开(公告)号: | CN102456397A | 公开(公告)日: | 2012-05-16 |
发明(设计)人: | 费迪南多·贝代斯基;罗伯托·加斯塔尔迪 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C11/56 | 分类号: | G11C11/56;G11C16/06;G11C29/42 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 宋献涛 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 相变 存储器 读取 分布 管理 | ||
1.一种方法,其包括:
将偏压脉冲施加到相变存储器(PCM)单元以产生存储器单元电流;及
至少部分地基于所述存储器单元电流及由一个或一个以上特定已知参考状态引起的参考单元电流而确定所述PCM单元的状态。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述参考单元电流包括用以对在执行所述确定所述PCM单元的所述状态之前的时间跨度期间所述PCM单元的物理改变进行补偿的电流。
3.根据权利要求1所述的方法,其中响应于错误校正码(ECC)溢出事件而执行所述将所述偏压脉冲施加到所述PCM单元及所述确定所述PCM单元的所述状态。
4.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
将参考单元在特定时间的参考单元电流与所述参考单元在较早时间的参考单元电流进行比较;及
存储所述比较的结果。
5.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
按顺序步进经过所述存储器单元电流的多个值;及
针对所述存储器单元电流的所述多个值的个别步阶确定是否修改所述存储器单元电流。
6.根据权利要求3所述的方法,其进一步包括:
至少部分地基于所述确定而填充查找表。
7.根据权利要求1所述的方法,其中所述PCM单元包括多电平存储器单元。
8.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
同时编程所述一个或一个以上特定参考状态及所述PCM单元。
9.一种设备,其包括:
控制器,其用以:
将偏压脉冲施加到相变存储器(PCM)阵列的存储器单元以产生存储器单元电流;及
至少部分地基于所述存储器单元电流及由一个或一个以上特定已知参考状态引起的参考单元电流而确定所述PCM单元的状态。
10.根据权利要求9所述的设备,其中所述参考单元电流包括用以对在确定所述PCM单元的所述状态之前的时间跨度期间所述PCM单元的物理改变进行补偿的电流。
11.根据权利要求9所述的设备,所述控制器用以:
将所述PCM阵列的所述参考部分当中的参考单元在特定时间的参考单元电流与所述参考单元在较早时间的参考单元电流进行比较;
存储所述比较的结果;及
至少部分地基于所述所存储的结果而修改所述单元电流。
12.根据权利要求9所述的设备,所述控制器用以:
按顺序步进经过所述存储器单元电流的多个值;及
针对所述存储器单元电流的所述多个值的个别步阶确定是否修改所述存储器单元电流。
13.根据权利要求12所述的设备,所述控制器用以:
至少部分地基于所述确定而填充查找表。
14.根据权利要求9所述的设备,其中所述PCM阵列包括多电平存储器。
15.根据权利要求9所述的设备,所述控制器用以:
同时编程所述PCM阵列的所述参考部分及所述PCM阵列的所述单元。
16.根据权利要求15所述的设备,所述控制器用以:
同时编程所述PCM阵列的所述参考部分及所述页缓冲器。
17.一种系统,其包括:
存储器装置,其包括包含用以存储一个或一个以上特定参考状态的参考部分的相变存储器(PCM)阵列,所述存储器装置进一步包括存储器控制器,所述存储器控制器用以:
将偏压脉冲施加到所述PCM阵列的单元以产生用于读取操作的存储器单元电流;及
至少部分地基于所述存储器单元电流及由一个或一个以上特定已知参考状态引起的参考单元电流而确定所述PCM单元的状态;及
处理器,其用以托管一个或一个以上应用程序且用以起始对所述存储器控制器的所述读取操作以提供对所述PCM阵列的存取。
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