[发明专利]半导体器件和用于制造该半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其包括：

包含第一氧化物半导体层的第一薄膜晶体管；以及

包含第二氧化物半导体层的第二薄膜晶体管，

其中所述第一薄膜晶体管包含第一栅电极，所述第一栅电极和所述第一氧化物半导体层互相重叠，

其中所述第二薄膜晶体管包括第二栅电极和第三栅电极，所述第二栅电极和所述第三栅电极其间插入所述第二氧化物半导体层而互相重叠，

其中所述第一薄膜晶体管的源电极和漏电极其中之一电连接至所述第二薄膜晶体管的源电极和漏电极其中之一，

其中所述第一栅电极和所述第二栅电极其中之一电连接至所述第一薄膜晶体管的源电极和漏电极的所述其中之一，以及

其中所述第一薄膜晶体管是增强型晶体管和耗尽型晶体管其中之一，并且所述第二薄膜晶体管是增强型晶体管和耗尽型晶体管其中另一个。

2.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第一栅电极和所述第二栅电极的所述其中之一是所述第一栅电极。

3.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第二氧化物半导体层具有第一区域和第二区域，

其中所述第二区域与所述第二薄膜晶体管的源电极或漏电极重叠，以及

其中所述第一区域的厚度小于所述第二区域的厚度。

4.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述半导体器件是显示器件。

5.如权利要求3所述的半导体器件，其中所述第二氧化物半导体层与所述第二栅电极其间隔着第一绝缘层而重叠，并且与所述第三栅电极其间隔着第二绝缘层而重叠，并且所述第二绝缘层与所述第二氧化物半导体层的所述第一区域接触。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层包含铟、镓和锌构成的组中选择的至少其中之一。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二栅电极和所述第三栅电极具有相同电位。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二栅电极和所述第三栅电极具有不同的电位。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管是n沟道薄膜晶体管。

10.一种半导体器件，其包括：

包含第一氧化物半导体层的第一薄膜晶体管；以及

包含第二氧化物半导体层的第二薄膜晶体管，

其中所述第一薄膜晶体管包含位于所述第一氧化物半导体层下面的第一栅电极，

其中所述第二薄膜晶体管包含位于所述第二氧化物半导体层下面的第二栅电极和位于所述第二氧化物半导体层上面的第三栅电极，

其中所述第一薄膜晶体管的源电极和漏电极其中之一电连接至所述第二薄膜晶体管的源电极和漏电极其中之一，

其中所述第一栅电极和所述第二栅电极其中之一电连接至所述第一薄膜晶体管的源电极和漏电极的所述其中之一，

其中所述第一薄膜晶体管是增强型晶体管和耗尽型晶体管其中之一，并且所述第二薄膜晶体管是增强型晶体管和耗尽型晶体管其中另一个。

11.如权利要求10所述的半导体器件，

其中所述第一栅电极和所述第二栅电极的所述其中之一是所述第一栅电极。

12.如权利要求10所述的半导体器件，

其中所述第二氧化物半导体层具有第一区域和第二区域，

其中所述第二区域与所述第二薄膜晶体管的源电极或漏电极重叠，以及

其中所述第一区域的厚度小于所述第二区域的厚度。

13.如权利要求10所述的半导体器件，

其中所述半导体器件是显示器件。

14.如权利要求12所述的半导体器件，其中所述第二氧化物半导体层与所述第二栅电极其间隔着第一绝缘层而重叠，并且与所述第三栅电极其间隔着第二绝缘层而重叠，并且所述第二绝缘层与所述第二氧化物半导体层的所述第一区域接触。

15.如权利要求10所述的半导体器件，其中所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层包含铟、镓和锌构成的组中选择的至少其中之一。

16.如权利要求10所述的半导体器件，其中所述第二栅电极和所述第三栅电极具有相同电位。