[发明专利]基于缺陷结构的周期极化铌酸锂的电光调制器无效
申请号: | 201110318755.2 | 申请日: | 2011-10-19 |
公开(公告)号: | CN102360130A | 公开(公告)日: | 2012-02-22 |
发明(设计)人: | 陆延青;宋晓诗;徐飞 | 申请(专利权)人: | 南京大学 |
主分类号: | G02F1/035 | 分类号: | G02F1/035 |
代理公司: | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人: | 陈建和 |
地址: | 210093 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 缺陷 结构 周期 极化 铌酸锂 电光 调制器 | ||
1.一种基于电光效应引起偏振旋转的电光调制器的设置方法,含有缺陷结构的周期极化铌酸锂超晶格基于电光效应引起偏振的旋转方向的旋转,所述铌酸锂超晶格提供的倒格矢满足入射光实现偏振旋转的波矢匹配,其特征是:在周期结构中引入缺陷,缺陷位置处于中间,外部直流电源加到周期极化铌酸锂超晶格的y面上实现入射光偏振方向的旋转及沿反方向的旋转。
2.根据权利要求1所述的基于电光效应引起偏振旋转的电光调制器的设置方法,其特征是:在周期极化的铌酸锂超晶格中引入缺陷,所述缺陷是将位于周期极化铌酸锂超晶格中间的极化在一个方向的一个畴的厚度变为原来的两倍;正常的超晶格周期为l,畴宽度为l/2,缺陷畴宽度为l,是正常铁电畴宽度的两倍。
3.根据权利要求2所述的基于电光效应引起偏振旋转的电光调制器的设置方法,其特征是周期性非线性极化率调制的含有缺陷的周期结构,制备方法是利用脉冲外电场极化方法形成的周期铁电畴反转。
4.根据权利要求2所述的基于电光效应引起偏振旋转的电光调制器的设置方法,其特征是:外部直流电源加到整块周期极化铌酸锂超晶格样品的y面上实现电光系数的周期性调制,从而使入射光波的偏振方向发生旋转;设置外部直流电源电场值均为E,含有缺陷结构的周期极化铌酸锂超晶格是两部分不含缺陷的周期超晶格,超晶格的第一部分周期为N,入射光波在经过此部分周期超晶格后原偏振方向旋转至新的偏振方向;超晶格的第二部分周期仍为N,与第一部分呈镜面关系,光波在经过此部分后新的偏振方向则沿方向旋转至原偏振方向。
5.根据权利要求4所述的基于电光效应引起偏振旋转的电光调制器的设置方法,其特征是:通过调节周期数N和每个周期畴的宽度调节入射光的迟延相位。
6.基于电光效应引起偏振旋转的电光调制器,其特征是采用周期极化畴的铌酸锂超晶格,铌酸锂超晶格中间的一个畴的厚度变为原来的两倍;即超晶格周期为l,畴宽度为l/2,使铌酸锂超晶格提供的倒格矢满足入射光实现偏振旋转的波矢匹配;所述中间畴宽度为l,是正常铁电畴宽度的两倍。
7.基于电光效应引起偏振旋转的电光调制器,其特征是采用周期极化铌酸锂超晶格,包括二段超晶格,超晶格的第一段周期为N,超晶格的第二段周期仍为N,但第二段超晶格畴的结构与第一部分超晶格呈镜面关系,极化方向仍在同一轴上。
8.基于电光效应引起偏振旋转的电光调制器在相位延迟方面的应用。
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