[发明专利]硫化物上转换发光的荧光粉及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201110318800.4 | 申请日： | 2011-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN103059844A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 周明杰;王平;陈吉星;张振华 | 申请（专利权）人： | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/66 | 分类号： | C09K11/66;H01L51/54 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 518100 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硫化物 转换 发光 荧光粉 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种硫化物上转换发光的荧光粉，其特征在于，该荧光粉的结构式为aGeS2-bGa2S3:cTm3+；其中，Tm3+为掺杂离子，a、b、c为摩尔系数，0.52≤a≤0.7、0.28≤b≤0.45、0.005≤c≤0.03，且a+b+c＝1。
2.根据权利要求1所述的硫化物上转换发光的荧光粉，其特征在于，a＝0.6、b＝0.38、c＝0.02。
3.一种硫化物上转换发光的荧光粉的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1、按照摩尔百分数，称取粉体：GeS2，52％～7％；Ga2S3，28％～45％；Tm2S3，0.5％～3％；
步骤S2、将步骤S1称取的粉体混合、研磨20～60分钟，获得粉料前驱体；
步骤S3、将步骤S2的粉料前驱体于800～1000℃下煅烧0.5～5小时，随后降温至100～300℃，并在此温度下保温0.5～3小时后冷却至室温，获得块状产物；
步骤S4、将步骤S3中的块状产物进行研磨，获得所述硫化物上转换发光的荧光粉；该荧光粉的结构式为aGeS2-bGa2S3:cTm3+；其中，Tm3+为掺杂离子，a、b、c为摩尔系数，0.52≤a≤0.7、0.28≤b≤0.45、0.005≤c≤0.03，且a+b+c＝1。
4.根据权利要求3所述的硫化物上转换发光的荧光粉的制备方法，其特征在于，步骤S1中，a＝0.6、b＝0.38、c＝0.02。
5.根据权利要求3所述的硫化物上转换发光的荧光粉的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述粉体的研磨时间为40分钟。
6.根据权利要求3所述的硫化物上转换发光的荧光粉的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述煅烧过程的煅烧温度为950℃，煅烧时间为3小时。
7.根据权利要求3所述的硫化物上转换发光的荧光粉的制备方法，其特征在于，步骤S3中，煅烧过程结束后，所述保温过程的温度为200℃，保温时间为2小时。
8.权利要求1或2所述硫化物上转换发光的荧光粉在有机发光二极管中的应用。
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