[发明专利]一种大功率高压变频器功率单元无效
申请号: | 201110318870.X | 申请日: | 2011-10-19 |
公开(公告)号: | CN103066859A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 仝爱星;张育铭;甘鸿坚;马少才;应建平 | 申请(专利权)人: | 台达电子企业管理(上海)有限公司 |
主分类号: | H02M5/45 | 分类号: | H02M5/45;H05K7/20 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 曾红 |
地址: | 201209 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 大功率 高压 变频器 功率 单元 | ||
1.一种大功率高压变频器功率单元,其特征在于,所述大功率高压变频器功率单元包括:
一功率器件子单元,包含:
一整流模块,用于对三相交流输入电压进行整流,以获得一直流电压;
一IGBT逆变桥,电性连接至电容器,用于将所述直流电压转换为频率、幅值和相位均可调的交流电压;
一旁路模块,与所述IGBT逆变桥相连接,用于在所述IGBT逆变桥工作异常时提供旁路功能;以及
一热管散热器,具有一散热基板,并且所述散热基板的两侧均放置有所述大功率高压变频器的功率器件;以及
一电容子单元,包含电容器与机壳,其电性连接至所述整流模块和IGBT逆变桥,用于对整流后的直流电进行滤波,再将滤波处理后的直流电输送给所述IGBT逆变桥。
2.根据权利要求1所述的大功率高压变频器功率单元,其特征在于,所述功率器件子单元中,IGBT逆变桥设置于所述散热基板的一侧,以及所述整流模块和所述旁路模块设置于所述散热基板的另一侧。
3.根据权利要求2所述的大功率高压变频器功率单元,其特征在于,所述散热基板包括一进风端和一出风端,其中,所述整流模块位于所述进风端,以及所述旁路模块位于所述出风端。
4.根据权利要求2所述的大功率高压变频器功率单元,其特征在于,所述IGBT逆变桥包括2个桥臂,且每一桥臂具有并联连接的多个IGBT。
5.根据权利要求1所述的大功率高压变频器功率单元,其特征在于,所述电容子单元与所述IGBT逆变桥紧邻设置,以缩短电能量的传送距离,从而降低电路中的杂散电感。
6.根据权利要求5所述的大功率高压变频器功率单元,其特征在于,所述IGBT逆变桥还包括一IGBT汇流排,所述电容子单元还包括一电容汇流排,并且所述IGBT与所述电容器通过所述IGBT汇流排和所述电容汇流排进行电气连接。
7.根据权利要求5所述的大功率高压变频器功率单元,其特征在于,所述电容子单元可拆卸地固定连接至所述功率器件子单元。
8.根据权利要求1所述的大功率高压变频器功率单元,其特征在于,还包括一控制模块,并且所述控制模块对应的印刷线路板四周均设置金属钣金件,以封闭所述印刷线路板从而实现电磁屏蔽。
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