[发明专利]衬底处理装置、衬底处理装置的温度控制方法及衬底处理装置的加热方法有效
申请号: | 201110319007.6 | 申请日: | 2011-10-18 |
公开(公告)号: | CN102456596A | 公开(公告)日: | 2012-05-16 |
发明(设计)人: | 杉浦忍;上野正昭;田中和夫;杉下雅士;山口英人;白子贤治 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立国际电气 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G05D23/22 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 处理 装置 温度 控制 方法 加热 | ||
1.一种衬底处理装置,其特征在于,
具有:
加热机构,其对收容衬底的处理室进行加热;
第一温度检测机构,其利用第一热电偶对所述衬底附近的温度进行检测;
第二温度检测机构,其利用第二热电偶对所述加热机构附近的温度进行检测;
控制机构,其根据由所述第一温度检测机构检测的温度及由所述第二温度检测机构检测的温度对所述加热机构进行控制;
控制切换机构,其根据由所述第一温度检测机构检测的温度及由所述第二温度检测机构检测的温度对所述控制机构进行控制,从而使所述控制机构对第一控制模式和第二控制模式进行切换,
所述第一热电偶的耐热性比所述第二热电偶的耐热性大,所述第二热电偶的温度检测性能比所述第一热电偶的温度检测性能高。
2.一种衬底处理装置的温度控制方法,其特征在于,具有以下步骤:
通过加热机构对收容衬底的处理室进行加热的步骤;
通过利用第一热电偶的第一温度检测机构对所述衬底附近的温度进行检测的步骤;
通过利用第二热电偶的第二温度检测机构对所述加热机构附近的温度进行检测的步骤;
依据由所述第一温度检测机构或所述第二温度检测机构检测的温度,对第一控制模式和第二控制模式进行切换的步骤,其中,所述第一控制模式根据由所述第一温度检测机构检测的温度及由所述第二温度检测机构检测的温度对所述加热机构进行控制;所述第二控制模式根据由所述第二温度检测机构检测的温度对所述加热机构进行控制,
所述第一热电偶的耐热性比所述第二热电偶的耐热性大,所述第二热电偶的温度检测性能比所述第一热电偶的温度检测性能高。
3.一种衬底处理装置,其特征在于,
具有:
加热机构,其对收容衬底的处理室进行加热;
第一温度检测机构,其使用第一放射温度计对通过所述加热机构被加热的温度进行检测;
第二温度检测机构,其使用第二放射温度计对通过所述加热机构被加热的温度进行检测,其中,所述第二放射温度计,将比由第一放射温度计测定的温度的范围的上限高的温度作为所测定的温度的范围的上限,并且,将比由第一放射温度计测定的温度的范围的下限高的温度作为所测定的温度的范围的下限;
控制机构,其根据由所述第一温度检测机构检测的温度及由所述第二温度检测机构检测的温度对所述加热机构进行控制;
控制切换机构,其根据由所述第一温度检测机构检测的温度及由所述第二温度检测机构检测的温度对所述控制机构进行控制,从而使所述控制机构切换第一控制模式和第二控制模式,或者,根据由所述第一温度检测机构或所述第二温度检测机构检测的温度和预先设定的阈值,对所述控制机构进行控制,从而使所述控制机构切换第一控制模式和第二控制模式。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造