[发明专利]立体结构的磁隧道结的形成方法及形成设备

权利要求书

1.一种立体结构的磁隧道结的形成设备，包括用于形成磁材料层的反应腔室，

其特征在于，所述反应腔室包括：

镀膜室，所述镀膜室一腔室壁上具有至少一个开孔；

位于所述镀膜室内的第一加热器，所述第一加热器位于所述开孔位置的正下方；

位于所述镀膜室上的第二加热器；

位于所述第二加热器表面的第一子反应腔，所述第一子反应腔与所述开孔相连，用于提供固态的第一反应物；

位于所述第二加热器表面的第二子反应腔，所述第二子反应腔与所述第一子反应腔相互分立，且与所述开孔相连，用于提供固态的第二反应物。

2.如权利要求1所述的立体结构的磁隧道结的形成设备，其特征在于，所述第二加热器位于所述镀膜室的上方，所述第二加热器具有第一通孔，且所述第一通孔的位置与所述开孔的位置相对应。

3.如权利要求1或2所述的立体结构的磁隧道结的形成设备，其特征在于，还包括：第二供气单元，所述第二供气单元与所述镀膜室内的开孔相连，用于提供乙硼烷。

4.如权利要求3所述的立体结构的磁隧道结的形成设备，其特征在于，所述反应腔室还包括：位于所述第二加热器表面的第一等离子腔室，所述第一等离子腔室的一端与所述第一子反应室相连，另一端与所述开孔相连；位于所述第二加热器表面的第二等离子腔室，所述第二等离子腔室的一端与所述第二子反应室相连，另一端通过气管与所述开孔相连。

5.如权利要求4所述的立体结构的磁隧道结的形成设备，其特征在于，还包括：第一供气单元，所述第一供气单元的一端与所述第二子反应腔相连，所述第一供气单元的另一端与所述反应腔室的开孔相连，用于提供作为载体的气体。

6.如权利要求5所述的立体结构的磁隧道结的形成设备，其特征在于，还包括：多个气管，分别连接所述第一供气单元和开孔、第二供气单元和开孔、第一等离子腔室和开孔、第二等离子腔室和开孔、第一供气单元和第二子反应腔。

7.如权利要求6所述的立体结构的磁隧道结的形成设备，其特征在于，还包括：多个气体流量控制器，分别安装在连接所述第一供气单元和第二子反应室的气管上、连接第一供气单元和反应腔室的开孔的气管上和连接所述第二供气单元和反应腔室的开孔的气管上。

8.如权利要求6所述的立体结构的磁隧道结的形成设备，其特征在于，还包括：开关，控制每个所述气管的开和关。

9.如权利要求2所述的立体结构的磁隧道结的形成设备，其特征在于，所述反应腔室还包括：分布盘，所述分布盘位于所述镀膜室内、且位于所述第一加热器和第二加热器之间，所述分布盘上具有多个第二通孔，所述第二通孔的直径小于所述开孔的直径。

10.如权利要求9所述的立体结构的磁隧道结的形成设备，其特征在于，所述分布盘到第二加热器之间的距离为50mm。

11.如权利要求1所述的立体结构的磁隧道结的形成设备，其特征在于，所述开孔的个数为4个。

12.一种立体结构的磁隧道结的形成方法，包括：

向第一子反应腔内提供固态的第一反应物，向第二子反应腔内提供固态的第二反应物；

经过镀膜室外的第二加热器加热，使第一反应物由固态变为气态，第二反应物由固态变为气态；

气态的第一反应物、气态的第二反应物由开孔进入镀膜室内，并和通入所述镀膜室的气态的第三反应物在镀膜室内混合均匀；

第一加热器加热使气态的第一反应物、气态的第二反应物和气态的第三反应物反应，生成CoFeB薄膜沉积于晶圆表面。

13.如权利要求12所述的立体结构的磁隧道结的形成方法，其特征在于，所述气态的第三反应物通过与所述开孔相连的第二供气单元进入镀膜室内。

14.如权利要求12所述的立体结构的磁隧道结的形成方法，其特征在于，所述第一反应物为二茂钴，所述第二反应物为二络铁，所述第三反应物为乙硼烷。

15.如权利要求14所述的立体结构的磁隧道结的形成方法，其特征在于，所述二茂钴的质量为500g，所述二络铁的质量为500g，乙硼烷的流量为100sccm。