[发明专利]基于氮化物的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种基于氮化物的半导体器件，包括：

基底；

外延生长层，设置在所述基底上并且其内产生二维电子气；以及

电极结构，设置在所述外延生长层上，并且具有延伸进所述外延生长层以接触所述二维电子气的延伸部。

2.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述电极结构包括与所述外延生长层肖特基接触的肖特基电极，并且

所述延伸部被设置在所述肖特基电极中。

3.根据权利要求2所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述延伸部具有岛形横截面。

4.根据权利要求3所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述延伸部被设置为具有栅格图案。

5.根据权利要求2所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述延伸部具有环形横截面。

6.根据权利要求5所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述延伸部被设置为具有年轮形的图案。

7.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述电极结构包括与所述外延生长层欧姆接触的欧姆电极，并且

所述延伸部被设置在所述欧姆电极中。

8.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述电极结构包括：

肖特基电极，设置在所述外延生长层的中间区域中，并与所述外延生长层肖特基接触；以及

欧姆电极，沿所述外延生长层的边缘区域设置以具有围绕所述肖特基电极的环形形状，并与所述外延生长层欧姆接触。

9.根据权利要求1所述的基于氮化物的半导体器件，其中，所述电极结构包括：

欧姆电极，设置在所述外延生长层的一侧上，并与所述外延生长层欧姆接触；以及

肖特基电极，在所述外延生长层的另一侧上与所述欧姆电极相对，并与所述外延生长层肖特基接触。

10.一种用于制造基于氮化物的半导体器件的方法，包括：

制备基底；

在所述基底上形成外延生长层，所述外延生长层内产生二维电子气；以及

在所述外延生长层上形成电极结构，所述电极结构延伸进所述外延生长层以接触所述二维电子气。

11.根据权利要求10所述的用于制造基于氮化物的半导体器件的方法，其中，形成所述电极结构包括：

在所述外延生长层上形成暴露所述二维电子气的凹陷部；

在所述外延生长层上形成覆盖所述外延生长层并填充所述凹陷部的金属层；以及

图案化所述金属层。

12.根据权利要求11所述的用于制造基于氮化物的半导体器件的方法，其中，形成所述凹陷部包括：

在所述外延生长层的中间区域中形成第一凹陷部；以及

在所述外延生长层的边缘区域中形成第二凹陷部，

其中，形成所述金属层包括：

在填充所述第一凹陷部以接触所述二维电子气的同时，形成与所述外延生长层肖特基接触的肖特基电极；以及

在填充所述第二凹陷部以接触所述二维电子气的同时，形成与所述外延生长层欧姆接触的欧姆电极。

13.根据权利要求11所述的用于制造基于氮化物的半导体器件的方法，其中，形成所述凹陷部在用于在所述基于氮化物的半导体器件之间进行分离的台面处理期间被执行。

14.根据权利要求10所述的用于制造基于氮化物的半导体器件的方法，其中，制备所述基底包括至少制备硅基板、碳化硅基板以及蓝宝石基板中的任意一种。

15.根据权利要求10所述的用于制造基于氮化物的半导体器件的方法，其中，形成所述外延生长层包括：

通过使用所述基底作为籽晶层执行外延生长处理而在所述基底上生长下部氮化物层；以及

使用所述下部氮化物层作为籽晶层而在所述下部氮化物层上生长上部氮化物层，所述上部氮化物层具有比所述下部氮化物层更宽的能量带隙。