[发明专利]晶圆承载设备及晶圆承载的方法有效
申请号: | 201110319210.3 | 申请日: | 2011-10-19 |
公开(公告)号: | CN103066000A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 徐依协 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 承载 设备 方法 | ||
1.一种晶圆承载设备,其特征在于,包括:
静电卡盘,所述静电卡盘具有矩阵排列的若干区域;
若干能量供给单元,所述能量供给单元独立对所述静电卡盘若干区域施加能量;
控制单元,所述控制单元用于控制所述若干能量供给单元,使得所述若干能量供给单元向对应的区域施加能量或停止施加能量,且所述控制单元独立地控制每一所述能量供给单元施加或停止施加能量。
2.如权利要求1所述晶圆承载设备,其特征在于,所述控制单元控制所述能量供给单元按照弯曲次序依次向对应的区域施加能量,使得静电卡盘按照弯曲次序卡紧待卡紧的晶圆。
3.如权利要求1所述晶圆承载设备,其特征在于,所述控制单元控制所述若干能量供给单元按照弯曲次序依次向对应的区域停止施加能量,使得静电卡盘按照弯曲次序松开卡紧的晶圆。
4.如权利要求1所述晶圆承载设备,其特征在于,所述控制单元控制所述若干能量供给单元按照螺旋次序依次向对应的区域施加能量,使得静电卡盘按照螺旋次序卡紧待卡紧的晶圆。
5.如权利要求1所述晶圆承载设备,其特征在于,所述控制单元控制所述能量供给单元按照螺旋次序依次向对应的区域停止施加能量,使得静电卡盘按照螺旋次序松开卡紧的晶圆。
6.如权利要求1所述晶圆承载设备,其特征在于,所述控制单元控制所述能量供给单元按照斜线次序依次向对应的区域施加能量,使得静电卡盘按照斜线次序卡紧待卡紧的晶圆。
7.如权利要求1所述晶圆承载设备,其特征在于,所述控制单元控制所述能量供给单元按照斜线次序依次向对应的区域停止施加能量,使得静电卡盘按照斜线次序松开卡紧的晶圆。
8.如权利要求1所述晶圆承载设备,其特征在于,所述控制单元控制所述能量供给单元按照瀑布水线次序依次向对应的区域施加能量,使得静电卡盘按照瀑布水线次序卡紧待卡紧的晶圆。
9.如权利要求1所述晶圆承载设备,其特征在于,所述控制单元控制所述能量供给单元按照瀑布水线次序依次向对应的区域停止施加能量,使得静电卡盘按照瀑布水线次序松开卡紧的晶圆。
10.如权利要求1所述晶圆承载设备,其特征在于,所述晶圆承载设备还包括:晶圆平坦度测试单元。
11.如权利要求1所述晶圆承载设备,其特征在于,所述晶圆平坦度测试单元为光学扫描装置或晶圆应力监控设备。
12.如权利要求1所述晶圆承载设备,其特征在于,所述控制单元根据晶圆的平坦度,独立地控制所述能量供给单元,选择能量供给方式对每一所述静电卡盘区域降低能量供给直至停止施加能量。
13.如权利要求1所述晶圆承载设备,其特征在于,所述控制单元根据晶圆的平坦度,独立地控制每一所述能量供给单元,选择能量供给方式对每一所述静电卡盘区域供给能量直至卡紧待卡紧晶圆。
14.如权利要求1所述晶圆承载设备,其特征在于,所述控制单元包括:
数据接收存储单元,存储晶圆平坦度数据;
探测单元,与半导体设备相连,用于获取半导体制程的进度数据,当半导体制程需要松开晶圆时,发送松开信号至运算单元;
运算单元,用于接收探测单元发送的松开信号,并根据存储在数据接收存储单元中的平坦度数据,选择每一所述能量供给单元的降低能量供给强度方式,使得被静电卡盘卡住的晶圆和缓的松开。
15.如权利要求14所述晶圆承载设备,其特征在于,所述探测单元为光学的探测接收设备、或者蓝牙接收发射设备、或者红外接收发射设备。
16.如权利要求14所述晶圆承载设备,其特征在于,所述控制单元还包括:输入设备。
17.如权利要求1所述晶圆承载设备,其特征在于,所述能量供给单元为与所述静电卡盘若干区域对应,且每一能量供给单元与每一静电卡盘区域内的电极电连接,并控制对应静电卡盘区域内产生束缚力。
18.如权利要求17所述晶圆承载设备,其特征在于,所述能量供给单元为电压施加装置。
19.如权利要求1所述晶圆承载设备,其特征在于,所述静电卡盘具有矩阵排列的M×N个区域,其中M和N为大于1的自然数。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造