[发明专利]氧化聚硅氮烷层的方法以及形成沟槽隔离结构的方法

权利要求书

1.一种氧化聚硅氮烷层的方法，包括：

提供基底，包括沟槽；

在所述沟槽中形成聚硅氮烷层；及

在施加超音波的含酸溶液中对所述聚硅氮烷层进行处理，以氧化所述聚硅氮烷层。

2.如权利要求1所述的氧化聚硅氮烷层的方法，其特征在于所述含酸溶液包括磷酸、硫酸、H₂SO₄添加O₃(SOM)、H₂SO₄添加H₂O₂(SPM)、H₃PO₄添加O₃或H₃PO₄添加H₂O₂。

3.如权利要求1所述的氧化聚硅氮烷层的方法，其特征在于对所述聚硅氮烷层进行处理的步骤的温度为100℃～300℃。

4.如权利要求1所述的氧化聚硅氮烷层的方法，其特征在于对所述聚硅氮烷层进行处理的步骤的温度为150℃～250℃。

5.如权利要求1所述的氧化聚硅氮烷层的方法，其特征在于所述超音波的输出功率(output power)为10watt至2000watt。

6.如权利要求6所述的氧化聚硅氮烷层的方法，还包括在所述沟槽的侧壁和底部形成氮化硅衬层。

7.如权利要求1所述的氧化聚硅氮烷层的方法，其特征在于所述氮化硅衬层的厚度为5nm～10nm。

8.如权利要求1所述的氧化聚硅氮烷层的方法，其特征在于所述聚硅氮烷层直接接触所述基底，并且所述聚硅氮烷层和所述基底间不存在衬层。

9.如权利要求1所述的氧化聚硅氮烷层的方法，其特征在于形成所述聚硅氮烷层的步骤是采用旋转涂布制程。

10.一种形成沟槽隔离结构的方法，包括：

提供基底；

于所述基底中形成沟槽；

于所述沟槽中形成聚硅氮烷层；及

在100℃～300℃的温度下，在施加超音波的含酸溶液中对所述聚硅氮烷层进行处理以将所述聚硅氮烷层转换成氧化硅层，其中所述含酸溶液包括磷酸、硫酸、H₂SO₄添加O₃(SOM)、H₂SO₄添加H₂O₂(SPM)、H₃PO₄添加O₃或H₃PO₄添加H₂O₂；及

移除所述沟槽外的氧化硅层。

11.如权利要求10所述的形成沟槽隔离结构的方法，其特征在于所述超音波的输出功率(output power)为10watt至2000watt。

12.如权利要求10所述的形成沟槽隔离结构的方法，还包括在所述沟槽的侧壁和底部形成氮化硅衬层。

13.如权利要求10所述的形成沟槽隔离结构的方法，其特征在于对所述聚硅氮烷层进行处理的步骤的温度为150℃～250℃。

14.如权利要求10所述的形成沟槽隔离结构的方法，其特征在于所述氮化硅衬层的厚度为5nm～10nm。

15.如权利要求10所述的形成沟槽隔离结构的方法，其特征在于所述聚硅氮烷层直接接触所述基底，并且所述聚硅氮烷层和所述基底间不存在衬层。

16.如权利要求10所述的形成沟槽隔离结构的方法，其特征在于形成聚硅氮烷层的步骤是采用旋转涂布制程。

17.如权利要求10所述的形成沟槽隔离结构的方法，其特征在于形成所述沟槽的步骤包括：

在所述基底上形成第一垫层；

在所述第一垫层上形成第二垫层；

将所述第一垫层和所述第二垫层图案化；及

将所述基底蚀刻以形成所述沟槽。

18.如权利要求17所述的形成沟槽隔离结构的方法，其特征在于所述第一垫层是由氧化硅组成，所述第二垫层是由氮化硅组成。