[发明专利]锗酸盐上转换发光的荧光粉及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种锗酸盐上转换发光的荧光粉，其特征在于，该荧光粉的结构式为aGeO₂-bSiO₂:cNd³⁺；其中，Nd³⁺为掺杂离子，a、b、c为摩尔系数，0.65≤a≤0.75、0.25≤b≤0.35、0.002≤c≤0.018，且a+b+c＝1。

2.根据权利要求1所述的锗酸盐上转换发光的荧光粉，其特征在于，a＝0.692、b＝0.3、c＝0.008。

3.一种锗酸盐上转换发光的荧光粉的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1、按照摩尔百分数，称取粉体：GeO₂，68.2％～69.8％；SiO₂，25％～35％；Nd₂O₃，0.2％～0.18％；

步骤S2、将步骤S1称取的粉体混合、研磨20～60分钟，获得粉料前驱体；

步骤S3、将步骤S2的粉料前驱体于800～1000℃下煅烧0.5～5小时，随后降温至100～300℃，并在此温度下保温0.5～3小时后冷却至室温，获得块状产物；

步骤S4、将步骤S3中的块状产物进行研磨，获得所述锗酸盐上转换发光的荧光粉；该荧光粉的结构式为aGeO₂-bSiO₂:cNd³⁺；其中，Nd³⁺为掺杂离子，a、b、c为摩尔系数，0.65≤a≤0.75、0.25≤b≤0.35、0.002≤c≤0.018，且a+b+c＝1。

4.根据权利要求3所述的锗酸盐上转换发光的荧光粉的制备方法，其特征在于，步骤S1中，a＝0.692、b＝0.3、c＝0.008。

5.根据权利要求3所述的锗酸盐上转换发光的荧光粉的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述粉体的研磨时间为40分钟。

6.根据权利要求3所述的锗酸盐上转换发光的荧光粉的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述煅烧过程的煅烧温度为900℃，煅烧时间为3小时。

7.根据权利要求3所述的锗酸盐上转换发光的荧光粉的制备方法，其特征在于，步骤S3中，煅烧过程结束后，所述保温过程的温度为200℃，保温时间为2小时。

8.权利要求1或2所述锗酸盐上转换发光的荧光粉在有机发光二极管中的应用。