[发明专利]铕掺杂钼酸镥钙发光薄膜、其制备方法及有机电致发光器件

权利要求书

1.一种铕掺杂钼酸镥钙发光薄膜，其特征在于，该铕掺杂钼酸镥钙发光薄膜的化学通式为Ca_1-x-yLu_yMoO₄:xEu³⁺；其中，Ca_1-x-yLu_yMoO₄为基质，Eu³⁺为掺杂离子，x的取值范围为0.1～0.2，y的取值范围为0.2～0.6。

2.根据权利要求1所述的铕掺杂钼酸镥钙发光薄膜，其特征在于，x的取值为0.15，y的取值为0.4。

3.一种铕掺杂钼酸镥钙发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1，按质量百分比，分别称取14～17.6％的CaO、13.4～40.2％的Lu₂O₃、5.9～11.8％的Eu₂O₃以及余量的MoO₃原料，并经过研磨混合均匀后，在900～1300℃下烧结，制成靶材；

步骤S2，将步骤S1中得到的靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体内，并将真空腔体的真空度设置在1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa之间；

步骤S3，调整磁控溅射镀膜工艺参数为：基靶间距为45～95mm，磁控溅射工作压强0.2～4Pa，氩气工作气体的流量10～35sccm，衬底温度为250℃～750℃；接着进行制膜，得到薄膜样品；

步骤S4，将步骤S3得到的薄膜样品于500～800℃下真空退火处理1～3h，得到化学通式为Ca_1-x-yLu_yMoO₄:xEu³⁺；其中，Ca_1-x-yLu_yMoO₄为基质，Eu³⁺为掺杂离子，x的取值范围为0.1～0.2，y的取值范围为0.2～0.6。

4.根据权利要求3所述的铕掺杂钼酸镥钙发光薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，CaO、Lu₂O₃、Eu₂O₃以及MoO₃原料的质量百分比分别为15.8％、26.8％、8.9％和48.5％时；相应地，步骤S4中，x的取值为0.15，y的取值为0.4。

5.根据权利要求3或4所述的铕掺杂钼酸镥钙发光薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述靶材制备的烧结温度为1250℃。

6.根据权利要求3所述的铕掺杂钼酸镥钙发光薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述真空腔体的真空度设置在5.0×10^-4Pa。

7.根据权利要求3所述的制铕掺杂钼酸镥钙发光薄膜的备方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述基靶间距为60mm；所述磁控溅射工作压强为2.0Pa；所述氩气工作气体的流量为25sccm；所述衬底温度为500℃。

8.根据权利要求3所述的铕掺杂钼酸镥钙发光薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中，所述真空退火处理中的退火温度为600℃，退火时间为2h。

9.一种有机电致发光器件，其特征在于，该有机电致发光器件的发光层为铕掺杂钼酸镥钙发光薄膜，该铕掺杂钼酸镥钙发光薄膜的化学通式为Ca_1-x-yLu_yMoO₄:xEu³⁺；其中，Ca_1-x-yLu_yMoO₄为基质，Eu³⁺为掺杂离子，x的取值范围为0.1～0.2，y的取值范围为0.2～0.6。

10.根据权利要求9所述的有机电致发光器件，其特征在于，x的取值为0.15，y的取值为0.4。