[发明专利]半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及通过进行使用蒸发沉积法形成膜的工序而形成的半导体装置。

背景技术

近年来，推进通过在基体上集成晶体管，具体地说，薄膜晶体管(Thin Film Transistor；以下被记为TFT)或MOS晶体管而形成的液晶显示装置或电致发光(Electro Luminescence；以下被记为EL)显示装置的开发。这些显示装置都是利用薄膜形成技术在玻璃基体上制造晶体管并将该晶体管配置在以矩阵形状排列的各像素中来进行图像显示的显示装置。

在基体上形成有用来检查配置在像素中的薄膜晶体管的特性的测试元件组合(Test Element Group；以下被记为“TEG”)，该测试元件组合设置在与像素不同的区域(参照专利文件1)。

专利文件1专利公开2004-341216号公报

发明内容

在EL显示装置中，首先在像素中制造TFT，再制造发光元件。因此被要求检查发光元件的制造给TFT带来的影响。但是，因为专利文件1的TEG设置在通过蒸发沉积工序形成有膜的区域的外侧，所以不能用这样的TEG检查由形成发光元件引起的TFT特性的变化。

使用蒸发沉积法形成用作EL元件的电极的导电膜或用作发光层的膜，但是在进行蒸发沉积工序之前后有可能出现TFT的阈值电压(Vth)或亚阈值特性不正常的情况。发生不正常的原因可以看作是如下缘故：在蒸发沉积工序中产生的射线损伤栅极绝缘膜，因此在栅极绝缘膜中产生电荷或能级，结果使TFT退化。因此，需要能够在进行蒸发沉积工序之前后检查像素的TFT的电特性的TEG。

本发明的目的在于可以通过测量TEG的电特性管理由蒸发沉积工序导致的半导体装置内的元件的电特性变化。

另外，当TFT连续工作时，电特性有可能随着时间的流逝而变化。温度也使电特性变化，因此在室温之下正常地工作的显示装置有可能在高温或低温之下不能正常地工作。理想的是，在密封像素区域之后管理像素区域的TFT的电特性。

本发明的目的之一在于提供一种在密封像素区域之后也可以测量TEG的电特性的半导体装置。

本发明的半导体装置之一包括规定了第一区域和具有形成在所述第一区域中的像素的第二区域的衬底、形成在所述第二区域中的元件、形成在所述第二区域外侧的所述第一区域中并用来检查所述第二区域中的元件的测试元件组合、以及形成在所述第一区域的外部并电连接于所述测试元件组合的至少一个端子。

本发明的半导体装置之一包括规定了使用蒸发沉积法而形成膜的蒸发沉积区域(也被称为第一区域)和形成在所述蒸发沉积区域中的像素区域(也被称为第二区域)的衬底、形成在所述像素区域中的元件、形成在所述像素区域外侧的所述蒸发沉积区域中并用来检查所述像素区域中的元件的测试元件组合、以及形成在所述蒸发沉积区域的外部并电连接于所述测试元件组合的至少一个端子。

另外，本发明的半导体装置之另一包括规定了使用蒸发沉积法而形成膜的蒸发沉积区域和形成在所述蒸发沉积区域中的像素区域的衬底、形成在所述像素区域中的像素、形成在所述像素区域外侧的所述蒸发沉积区域中并用来检查所述像素区域中的元件的测试元件组合、以及形成在所述蒸发沉积区域的外部并电连接于所述测试元件组合的至少一个端子，其中所述像素包括第一像素电路和连接到所述第一像素电路的发光元件，所述测试元件组合包括与所述第一像素电路相同的第二像素电路，所述第二像素电路中的至少一个元件电连接到所述端子。

另外，本发明的半导体装置之另一的特征是，在像素区域中包括具备第一晶体管、第二晶体管、栅极信号线、数据信号线及电源线的第一像素电路和连接到所述第一像素电路的发光元件，在所述第一像素电路中，所述第一晶体管的栅极连接到所述栅极信号线，其源极及漏极中的一方连接到所述数据信号线，第二晶体管的源极及漏极中的一方连接到所述电源线，而另一方连接到所述发光元件，所述测试元件组合包括与所述第一像素电路相同的第二像素电路，所述第二像素电路中的第一晶体管及第二晶体管中的至少一方电连接到所述端子，所述第二像素电路的栅极信号线通过开关电连接到所述第一像素电路的栅极信号线。