[发明专利]钴靶材组件的焊接方法无效
申请号: | 201110321379.2 | 申请日: | 2011-10-20 |
公开(公告)号: | CN102366856A | 公开(公告)日: | 2012-03-07 |
发明(设计)人: | 姚力军;潘杰;王学泽;周友平 | 申请(专利权)人: | 宁波江丰电子材料有限公司 |
主分类号: | B23K20/16 | 分类号: | B23K20/16;B23K20/14;B23K20/233 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 315400 浙江省宁波市余姚*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钴靶材 组件 焊接 方法 | ||
1.一种钴靶材组件的焊接方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供钴靶材坯料、铜背板、中间层;
将所述钴靶材坯料、中间层、铜背板置于真空包套内并使所述中间层位于所述钴靶材坯料与铜背板之间,将所述真空包套置于焊接设备内;
利用热等静压工艺将所述钴靶材坯料、中间层、铜背板焊接在一起以形成钴靶材组件;
焊接完成后,对所述真空包套进行冷却后,去除所述真空包套以获得所述钴靶材组件。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,将所述钴靶材坯料、中间层、铜背板置于真空包套之前还包括以下步骤:
对所述钴靶材坯料、铜背板进行机械加工以提高所述钴靶材坯料、铜背板与中间层的结合能力;
再对所述钴靶材坯料、铜背板进行表面清洗处理。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述利用热等静压工艺将钴靶材坯料、中间层、铜背板焊接在一起的步骤包括:
使内部设置有所述钴靶材坯料、中间层、铜背板的真空包套的外部环境温度为350℃~700℃、外部环境压强为50Mpa~160Mpa;
对位于所述环境温度、环境压强下的所述真空包套进行保温3~5小时以将所述钴靶材坯料、中间层、铜背板焊接在一起。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,将所述钴靶材坯料、中间层、铜背板置于真空包套内再将所述真空包套送入焊接设备的步骤中,所述真空包套是由厚度为1mm~2mm的低碳钢或不锈钢焊接形成,将所述钴靶材坯料、中间层、铜背板置于真空包套内后,将所述真空包套抽真空至10-3乇~10-5乇,再将所述真空包套密封。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述中间层的厚度为0.2mm~3mm。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述中间层的材料为钛。
7.一种钴靶材组件的焊接方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供铜背板、钴靶材坯料;
在所述钴靶材坯料的预结合表面上形成中间层以使所述中间层与所述钴靶材坯料形成一个整体;
将所述形成有中间层的钴靶材坯料、铜背板置于真空包套内并使所述中间层位于所述钴靶材坯料与铜背板之间,将所述真空包套置于焊接设备内;
利用热等静压工艺将所述形成有中间层的钴靶材坯料、铜背板焊接在一起以形成钴靶材组件;
焊接完成后,对所述真空包套进行冷却,去除所述真空包套以获得所述钴靶材组件。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,在所述钴靶材坯料的预结合表面上形成中间层之前对所述钴靶材坯料进行表面清洗处理。
9.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述中间层是利用物理气相沉积工艺形成的。
10.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述利用热等静压工艺将形成有中间层的钴靶材坯料、铜背板焊接在一起的步骤包括:
使内部设置有所述钴靶材坯料、铜背板的真空包套的外部环境温度为350℃~700℃、外部环境压强为50Mpa~160Mpa;
对位于所述环境温度、环境压强下的所述真空包套进行保温3~5小时以将所述形成有中间层的钴靶材坯料、铜背板焊接在一起。
11.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,将所述形成有中间层的钴靶材坯料、铜背板置于真空包套内再将所述真空包套送入焊接设备的步骤中,所述真空包套是由厚度为1mm~2mm的低碳钢或不锈钢焊接形成,将所述钴靶材坯料、铜背板置于真空包套内后,将所述真空包套抽真空至10-3乇~10-5乇,再将所述真空包套密封。
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