[发明专利]C波段高能碳化硅陶瓷微波负载

权利要求书

1.一种C波段高能碳化硅陶瓷微波负载，其特征在于采用碳化硅(SiC)陶瓷为微波吸收材料，包括波导管、电阻棒、吸收室、连接法兰、冷却装置组成，波导管的一端封闭，另一端装上连接法兰，波导管的内壁焊接多个电阻棒形成微波吸收室，波导管外壁上装有冷却装置。

2.根据权利要求1所述的C波段高能碳化硅陶瓷微波负载，其特征在于所述的波导管采用无氧铜材料制成，波导管一端封闭，另一端装上连接法兰，连接法兰可与待吸收微波装备相连接。

3.根据权利要求1所述的C波段高能碳化硅陶瓷微波负载，其特征在于所述的电阻棒采用碳化硅(SiC)陶瓷材料制作成圆柱状，并通过二次过渡焊接工艺焊接在波导管的内壁上。

4.根据权利要求1所述的C波段高能碳化硅陶瓷微波负载，其特征在于所述的电阻棒的高度从波导管的连接法兰的一端向封闭的一端由低到高分布，电阻棒在波导管的内壁两侧错开相对排列。