[发明专利]二极管仿真电路模型有效
| 申请号： | 201110322042.3 | 申请日： | 2011-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN103064994A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 王正楠 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二极管 仿真 电路 模型 | ||
1.一种二极管仿真电路模型，其特征在于，包括一正向二极管模型、一电压控制电流源、一寄生电阻；
所述电压控制电流源同所述寄生电阻串接在所述正向二极管模型的P端和N端之间；
所述正向二极管模型，反向击穿电流为零；
所述电压控制电流源，其电流值为：
其中，cur为电压控制电流源电流值，jrev为反向击穿电流系数，Bvrev为反向击穿电压点，nrev为反向击穿电流的指数项修正系数，VA为电压控制电流源同寄生电阻连接点电压，t是环境温度，k是波尔兹曼常数，q为电荷常数。
2.根据权利要求1所述的二极管仿真电路模型，其特征在于，所述正向二极管模型，正向工作电流为：
其中，id是正向工作电流，ISeff是有效电流系数，Vd是外界偏置电压，N是电流指数项的修正系数，Vt是物理常数。
3.根据权利要求1所述的二极管仿真电路模型，其特征在于，t为25℃。
4.根据权利要求1所述的二极管仿真电路模型，其特征在于，Rx为40欧姆。
5.根据权利要求1所述的二极管仿真电路模型，其特征在于，Bvrev为5.45V。
6.根据权利要求1所述的二极管仿真电路模型，其特征在于，jrev为1E-14。
7.根据权利要求1所述的二极管仿真电路模型，其特征在于，nrev为0.55。
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